發(fā)布時(shí)間：2024-06-08 05:10

　　為增強(qiáng)CdS納米粒子的熒光強(qiáng)度,以及穩(wěn)定性,研究了Cd,S不同質(zhì)量比,有無穩(wěn)定劑等條件下CdS納米粒子的制備及熒光特性。在堿性條件下,利用水熱法合成了CdS/ZnO的納米復(fù)合結(jié)構(gòu),并對(duì)所有樣品進(jìn)行了XRD、熒光光譜和SEM表征。測試結(jié)果表明所制備的CdS納米粒子和CdS/ZnO的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)粒子成分單一且純凈;ZnO復(fù)合在CdS表面;在紫外光(328.5nm)激發(fā)下,CdS/ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的發(fā)射峰位于463nm處,峰形窄而對(duì)稱,CdS/ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的熒光強(qiáng)度比CdS納米粒子的熒光強(qiáng)度有顯著增強(qiáng),且CdS和ZnO物質(zhì)量之比為1∶1條件下,熒光強(qiáng)度最高,其熒光效率比單一CdS納米粒子高出11%。通過第一性原理計(jì)算結(jié)果表明,CdS能帶結(jié)構(gòu)中,Cd-4d,S-3p和Cd-5s能帶分別由5條、3條和1條能級(jí)構(gòu)成,對(duì)比不同軌道的分態(tài)密度強(qiáng)度,看出CdS的導(dǎo)帶邊主要由Cd-5s軌道貢獻(xiàn),而價(jià)帶邊主要由S-3p軌道貢獻(xiàn),能量在-7eV附近的電子態(tài)主要由Cd-4d軌道貢獻(xiàn)。而ZnO上價(jià)帶主要由O-2p電子構(gòu)成,靠近費(fèi)米能級(jí)的價(jià)帶區(qū)域則主要由Zn-3d電子貢獻(xiàn),在導(dǎo)帶部分,主要來源于Zn-4s和...

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【文章目錄】：
引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 CdS納米粒子的制備
    1.2 CdS/ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備
2 結(jié)果與討論
    2.1 CdS納米粒子結(jié)構(gòu)及熒光特性
    2.2 CdS/ZnO納米復(fù)合結(jié)構(gòu)及熒光特性
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3991506