本文關(guān)鍵詞：低維半導(dǎo)體納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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低維半導(dǎo)體納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究

     論文目錄

中文摘要第1-12頁

ABSTRACT第12-15頁

第一章 緒論第15-29頁

   ·納米材料概述第15-18頁

     ·低維納米材料分類第16-18頁

     ·低維納米材料實驗制備簡介第18頁

   ·低維納米材料研究現(xiàn)狀與進(jìn)展第18-22頁

   ·選題意義及亟待解決的問題第22-23頁

   ·論文結(jié)構(gòu)第23-24頁

 參考文獻(xiàn)第24-29頁

第二章 理論方法第29-43頁

   ·第一性計算方法的基本原理第29-34頁

     ·從頭計算方法的三個基本近似第30-31頁

     ·Hartree-Fock近似第31-34頁

   ·密度泛函理論第34-40頁

     ·Hohenberg-Kohn定理第34-36頁

     ·Kohn-Sham方程第36-37頁

     ·交換相關(guān)泛函第37-40頁

     ·贗勢方法第40頁

   ·程序包簡介第40-42頁

     ·SIESTA軟件包第40-41頁

     ·VASP軟件包第41-42頁

 參考文獻(xiàn)第42-43頁

第三章 SiC多面單晶納米線和多壁納米管的第一性原理研究第43-59頁

   ·前言第43-44頁

   ·理論細(xì)節(jié)第44-45頁

   ·SiC納米線和多壁納米管的能量演化與電子結(jié)構(gòu)特性第45-55頁

   ·本章小結(jié)第55-56頁

 參考文獻(xiàn)第56-59頁

第四章 單晶3C-SiC納米線的第一性原理研究第59-71頁

   ·前言第59-60頁

   ·理論細(xì)節(jié)第60-61頁

   ·不同生長方向的單晶3C-SiC納米線穩(wěn)定性研究第61-68頁

   ·本章小結(jié)第68-69頁

 參考文獻(xiàn)第69-71頁

第五章 ZnO/GaN-core/shell異質(zhì)結(jié)納米線的第一性原理研究第71-83頁

   ·前言第71-72頁

   ·理論細(xì)節(jié)第72-73頁

   ·ZnO/GaN-core/shell異質(zhì)結(jié)納米線結(jié)構(gòu)與電子特性第73-79頁

   ·本章小結(jié)第79-80頁

 參考文獻(xiàn)第80-83頁

第六章 ZnO/GaN和ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)能帶帶階的第一性原理研究第83-97頁

   ·前言第83-85頁

   ·理論細(xì)節(jié)第85頁

   ·ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子特性研究第85-93頁

   ·本章小結(jié)第93-94頁

 參考文獻(xiàn)第94-97頁

第七章 總結(jié)與展望第97-100頁

   ·本論文的主要內(nèi)容和結(jié)果第97-98頁

   ·本論文的特色和創(chuàng)新第98-99頁

   ·展望第99-100頁

致謝第100-101頁

攻讀博士學(xué)位期間參與和主持的項目第101頁

獲獎情況第101-102頁

已發(fā)表和即將發(fā)表的論文第102-104頁

參加的培訓(xùn)與學(xué)術(shù)會議第104-105頁

附錄：外文論文第105-121頁

學(xué)位論文評閱及答辯情況表第121頁

論文編號BS1793542，這篇論文共121頁
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