發(fā)布時間：2018-09-13 06:34

【摘要】：非本征p型摻雜碲鎘汞材料可以有效克服少子壽命偏低等問題,提高長波和甚長波紅外焦平面器件的性能。本文重點闡述了As摻雜實現(xiàn)p型摻雜的基礎(chǔ)性原理,以及在器件方面最新研究進展,為今后As摻雜碲鎘汞材料的研究提供依據(jù)。
[Abstract]:Non-intrinsic p-doped HgCdTe materials can effectively overcome the problems of low minority carrier lifetime and improve the performance of long and very long wave infrared focal plane devices. In this paper, the basic principle of As doping for p-type doping and the latest research progress in devices are described, which provides a basis for the research of HgCdTe doped with As in the future.
【作者單位】： 華北光電技術(shù)研究所;
【分類號】：TN215

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本文編號：2240367