發(fā)布時間：2018-09-18 07:33

【摘要】：運用Comsol Multiphysics有限元軟件對多晶硅的定向凝固過程進行了模擬,分析了不同坩堝厚度(15、20、25 mm)對多晶硅熔化、結晶過程及晶體熱應力的影響。結果表明:當坩堝厚度為15 mm時,熔化所需要的時間最短,比坩堝厚度為20 mm和25 mm時分別少31 min和74 min;結晶初期,坩堝厚度為25 mm時的固液界面最為平坦,最有利于晶體的生長;多晶硅晶體底部邊緣和頂部邊緣區(qū)熱應力高;坩堝厚度為15 mm時,晶體內熱應力最大,且隨著坩堝厚度的增大,兩個區(qū)域的應力都減小。
[Abstract]:The directional solidification process of polycrystalline silicon was simulated by Comsol Multiphysics finite element software. The effects of different crucible thickness (15,20,25 mm) on the melting, crystallization and thermal stress of polycrystalline silicon were analyzed. The results show that when the crucible thickness is 15 mm, the melting time is the shortest, which is 20 mm and 25 mm respectively. At the initial stage of crystallization, the solid-liquid interface is the most flat and favorable for crystal growth when the crucible thickness is 25 mm; the thermal stress in the bottom edge and top edge of polysilicon crystal is high; when the crucible thickness is 15 mm, the thermal stress in the crystal is the largest, and with the increase of the crucible thickness, the stress in both regions decreases.
【作者單位】： 南昌大學機電工程學院;華東交通大學;新余學院新能源科學與工程學院;江西省高等學校硅材料重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51164033) 江西省自然科學基金項目(20132BAB206021) 江西省高等學�？萍悸涞赜媱濏椖�(KJLD12050) 江西省教育廳科學技術研究項目(11739,12748,GJJ151220)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：2247230