發(fā)布時間：2018-12-17 05:21

【摘要】：鋅(Zn)擴散是制作InP基光電探測器(PD)的重要工藝過程。分析了鋅擴散的機制,利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備對InP基PD及雪崩光電探測器(APD)材料進行了鋅擴散,由于MOCVD設備具有精確的溫度控制系統(tǒng),所以該擴散工藝具有簡單、均勻性好、重復性好的優(yōu)點。對于擴散后的樣品,采用電化學C-V方法和掃描電子顯微鏡(SEM)等測試分析手段,研究了退火、擴散溫度、擴散源體積流量和反應室壓力等主要工藝參數(shù)對InP材料擴散速率和載流子濃度的影響,并將該鋅擴散工藝應用于InP基光電探測器和雪崩光電探測器的器件制作中,得到了優(yōu)異的器件性能結(jié)果。
[Abstract]:Zinc (Zn) diffusion is an important process for making InP based photodetector (PD). The mechanism of zinc diffusion was analyzed. Zinc diffusion was carried out on InP based PD and avalanche photodetector (APD) materials by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment. Because of the precise temperature control system of MOCVD equipment, Therefore, the diffusion process has the advantages of simple, good uniformity and good repeatability. For the diffused samples, the annealing and diffusion temperatures were studied by electrochemical C-V method and scanning electron microscope (SEM) (SEM). The effect of the main process parameters such as volume flow rate of diffusion source and pressure of reaction chamber on the diffusion rate and carrier concentration of InP materials was investigated. The zinc diffusion process was applied to the fabrication of InP based photodetectors and avalanche photodetectors. Excellent performance results are obtained.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】：TN304.055

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 王浩,范廣涵,廖常俊;MOCVD生長的動力學模式探討[J];華南師范大學學報(自然科學版);2003年02期

2 胡曉宇;GaN-MOCVD設備的發(fā)展現(xiàn)狀及產(chǎn)業(yè)化思考[J];新材料產(chǎn)業(yè);2003年12期

3 ;第八屆全國MOCVD學術會議通知[J];液晶與顯示;2003年01期

4 ;MOCVD技術[J];電子元件與材料;2004年12期

5 陳燕,王軍鋒,羅惕乾;MOCVD反應器的優(yōu)化及其數(shù)學模型的建立[J];中國農(nóng)機化;2004年06期

6 聶宇宏;劉勇;姚壽廣;;徑向三重流MOCVD反應器壁面溫度的數(shù)值模擬[J];半導體學報;2007年01期

7 ;Effects of growth interruption on the properties of InGaN/GaN MQWs grown by MOCVD[J];Optoelectronics Letters;2007年01期

8 徐謙;楊麗英;張紅;;MOCVD反應器輸運過程的研究綜述與展望[J];裝備制造技術;2007年10期

9 劉磁輝;劉秉策;付竹西;;Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition[J];Chinese Physics B;2008年06期

10 鐘樹泉;任曉敏;王琦;黃輝;黃永清;張霞;蔡世偉;;MOCVD反應器熱流場的數(shù)值模擬研究[J];人工晶體學報;2008年06期

相關會議論文 前10條

1 高鴻楷;;MOCVD技術在中國[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

2 M.Heuken;;Next Generation MOCVD Technology with Improved Productivity for LED Production[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

3 ;An Investigation of Scalability of a Buffered Distributed Spray MOCVD Reactor by Numerical Analysis[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

4 ;370nm UV Electroluminescence from ZnO Based Heterojunction Light-emitting Diodes by Using MOCVD Deposited n-GaN as Substrate[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

5 李靜波;張維敬;李長榮;杜振民;;MOCVD的熱力學分析[A];第九屆全國相圖學術會議論文集[C];1997年

6 孟廣耀;;MOCVD科學與技術50年回顧與展望[A];第十二屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2012年

7 H.Wang;Y.-Y.Fang;S.L.Li;Z.H.Wu;J.N.Dai;C.Q.Chen;;Study of the properties of GaN quantum dots grown on AIN templates by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2012年

8 Li-Gong Li;Shu-Man Liu;Shuai Luo;Tao Yang;Xiao-Ling Ye;Li-Jun Wang;Bo Xu;Feng-Qi Liu;Zhan-Guo Wang;;Growth of InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2012年

9 Yibin Yang;Peng Xiang;Minggang Liu;Weijie Chen;Tufu Chen;Weimin Yang;Yunqian Wang;Yuan Ren;Xiaorong Zhang;Yan Lin;Guoheng Hu;Gangwei Hu;Xiaobiao Han;Zhisheng Wu;Yang Liu;Baijun Zhang;;Improvement of GaN Quality on Si(111) Using SiN_x Interlayer by MOCVD[A];第十二屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2012年

10 ;歷屆全國MOCVD會議一覽[A];第十二屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2012年

相關重要報紙文章 前10條

1 ;全球MOCVD設備熱銷背后的解讀[N];電子資訊時報;2006年

2 記者 宋元東;“傍”上中科院 兩公司分羹MOCVD國產(chǎn)化項目[N];上海證券報;2011年

3 柯科;國內(nèi)首臺MOCVD設備實現(xiàn)量產(chǎn)[N];廣東科技報;2013年

4 中國科學院半導體研究所 劉祥林 焦春美;國產(chǎn)MOCVD設備開發(fā)勢在必行[N];中國電子報;2004年

5 王適春　哲一;依靠自主創(chuàng)新發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)[N];中國電子報;2010年

6 記者 孫燕飚;中國LED投入期 海外設備廠商“好時光”[N];第一財經(jīng)日報;2010年

7 本報記者 趙晨;國產(chǎn)MOCVD設備還有機會嗎？[N];中國電子報;2013年

8 中科院蘇州納米所研究員 光達光電設備科技有限公司創(chuàng)始人 CTO 梁秉文;MOCVD未來十年必將大有作為[N];中國電子報;2013年

9 記者 劉肖勇 通訊員 吳晶平;發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)需破解MOCVD技術[N];廣東科技報;2013年

10 通訊員 龔靜 記者 戴麗昕;大型國產(chǎn)MOCVD設備成功發(fā)運[N];上�？萍紙�;2012年

相關博士學位論文 前10條

1 林志宇;基于MOCVD方法的N面GaN材料生長及特性研究[D];西安電子科技大學;2015年

2 顧然;高質(zhì)量ZnO薄膜的MOCVD外延生長與原位摻雜[D];南京大學;2016年

3 寧振動;銻化物紅外探測材料的MOCVD生長及光電性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年

4 蔣俊巖;極性可控的GaN與ZnO薄膜的MOCVD外延生長及其組合發(fā)光器件研究[D];吉林大學;2016年

5 朱光耀;ZnO MOCVD的生長模擬與優(yōu)化[D];南京大學;2011年

6 李暉;MOCVD生長GaN的輸運—反應模型研究[D];江蘇大學;2012年

7 楊天鵬;ZnO薄膜的等離子體輔助MOCVD生長及摻雜研究[D];吉林大學;2009年

8 李述體;III-Ⅴ族氮化物及其高亮度藍光LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究[D];南昌大學;2002年

9 趙旺;MOCVD法制備氧化鋅發(fā)光器件及薄膜晶體管的研究[D];吉林大學;2011年

10 鐘樹泉;MOCVD設備工藝優(yōu)化理論與低溫InP/Si晶片鍵合機理的研究[D];北京郵電大學;2010年

相關碩士學位論文 前10條

1 王晟;MOCVD設備氣體輸運與加熱控制系統(tǒng)設計[D];華中科技大學;2008年

2 李偉;MOCVD的在線膜厚監(jiān)測系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)[D];武漢理工大學;2012年

3 魯二峰;MOCVD溫度監(jiān)測與均勻性研究[D];浙江大學;2014年

4 郭仕寬;SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制[D];蘭州大學;2015年

5 劉興宇;MOCVD反應室感應加熱裝置的研究[D];南昌大學;2015年

6 全曉彤;MOCVD法制備氧化鋁薄膜及其阻變特性[D];大連理工大學;2015年

7 呂偉華;MOCVD氣體混合系統(tǒng)的泄漏檢測研究[D];西安電子科技大學;2015年

8 牛瑞;PMOCVD的計算流體動力學研究[D];西安電子科技大學;2014年

9 楊源;MOCVD生長氮化鎵的KMC微觀模擬[D];西安電子科技大學;2014年

10 王寧;MOCVD法制備BZO-TCO的工藝與性能及其在太陽電池中的應用研究[D];河北工業(yè)大學;2015年

，

本文編號：2383718