發(fā)布時(shí)間：2020-12-14 05:40

　　電力電子技術(shù)可以對(duì)電能進(jìn)行處理和轉(zhuǎn)換,并提高電能的使用效率,制作高效率低功耗的功率半導(dǎo)體器件對(duì)于節(jié)約能源和保護(hù)環(huán)境有著重要意義。功率半導(dǎo)體器件的不斷更新升級(jí)也推動(dòng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展。本文基于VDMOS的器件結(jié)構(gòu),研究了一種集成肖特基結(jié)的超結(jié)ACCUFET（Accumulation Field Effect Transistor）的新型功率器件。與傳統(tǒng)的NMOS結(jié)構(gòu)不同,ACCUFET器件基區(qū)為N型摻雜,通過加?xùn)艠O偏壓產(chǎn)生電子的積累層進(jìn)行導(dǎo)電,由于積累層中電子的遷移率更高,因此ACCUFET器件具有更低的比導(dǎo)通電阻。同時(shí),傳統(tǒng)VDMOS中源極區(qū)域的P-body區(qū)會(huì)形成寄生的雙極型晶體管,當(dāng)器件發(fā)生雪崩擊穿時(shí)可能開啟導(dǎo)致器件失效,因此本文提出的ACCUFET器件將P-body區(qū)移除,同時(shí)使用肖特基勢(shì)壘二極管輔助耗盡N型基區(qū)保證器件的特性,而肖特基結(jié)構(gòu)的加入也有效改善了器件的反向恢復(fù)特性和開關(guān)特性。通過加入超結(jié)結(jié)構(gòu),器件在達(dá)到規(guī)定耐壓的同時(shí)得到了低的比導(dǎo)通電阻。本文主要內(nèi)容如下:1.本文首先介紹了常見的ACCUFET器件的結(jié)構(gòu)、工作原理和發(fā)展歷史;隨后介紹了超結(jié)理論以及超結(jié)理論改善漂移區(qū)比... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

VDMOS的結(jié)構(gòu)對(duì)比

傳統(tǒng)漂移區(qū)

槽柵積累型Si

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]利用高K絕緣介質(zhì)的新型功率半導(dǎo)體器件的研究[D]. 黃銘敏.電子科技大學(xué) 2016



本文編號(hào)：2915919