發(fā)布時間：2020-12-14 21:30

　　集成的電子器件可以應(yīng)用于傳感器、電子皮膚和人工智能等前沿信息交叉領(lǐng)域,高性能電子器件的重要性激發(fā)了學(xué)界對新型半導(dǎo)體材料的探索。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖（ITRS）預(yù)測硅基電子器件在2020年后將達到極限,因此需要更優(yōu)秀的替代材料來推動新型電子器件的發(fā)展。在過去的十余年中,二維（2D）層狀半導(dǎo)體材料因其獨特的電子結(jié)構(gòu)和傳輸特性而受到廣泛關(guān)注。盡管二維半導(dǎo)體作為下一代納米電子有極為卓越的光學(xué)和電學(xué)特性,但是仍有很多核心的限制性問題亟待解決,相關(guān)的研究還仍處于起步階段。在本文中,我們針對該領(lǐng)域存在的性能限制性問題設(shè)計構(gòu)建了性能優(yōu)越的新型結(jié)構(gòu)二維場效應(yīng)晶體管（FETs）,并且對其在神經(jīng)信號檢測等方面的應(yīng)用進行了探索和研究。首先,為了解決二維半導(dǎo)體材料中最為典型的過渡金屬硫化物（TMDs）在生長和轉(zhuǎn)移過程中不可避免產(chǎn)生的空位在電子傳輸過程中造成的載流子散射問題,我們提出了一種簡單、有效的使用低功率氮等離子體快速修復(fù)過渡金屬硫化物中本征硫空位的方法,并利用高分辨率球差校正掃描投射電子顯微鏡（STEM,JOOLAEM200F）證實了硫空位的存在和氮等離子體對它的有效修復(fù),通過質(zhì)心擬合的方式計算出修復(fù)后的空... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２各種二維材料及其結(jié)構(gòu)？??Ｆｉｇ．?１．２．?Ｖａｒｉｏｕｓ?２Ｄ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ?ａｎｄ?ｔｈｅｉｒ?ｓｔｉ－ｕｃｔｕｒｅｓ［３ｌ??

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？ｒ?驚丄丨丨＂??Ｅｘｆｏｌ＾ｔｉｏｎ?ｏｆ?ｌａｙｅｒ?ｍａｔｅｒｉａｓ?ｗｉｔｈ?ｉｏｎｓ?ｏｒ?ｍｃＭｅｃｕｔｅｓ?ｂｅｔｗｅｅｎ?ｌａｙｅｒｓ??？〇，??Ｕｉｙｗ?ｗｉＨｔ?ｔｏｒｔ＊??ｌ？ｗ?ＴＭ＜＾ｓ?ｍｕ?ＵＤＨｓ??Ｙ?ｌ￡２?ｗ??ａｔｏｍｓ?Ｓｏｎｉｃａｆｅｎｓ＾ｆｉｔｎ？，??ｔｈｅ?ｈｏ￥｝?＊ｆ４ｌｋ＞ｎ６?，ｎ??？？＊？??ｍａｉｅｒｉａｌａ?ｗ？ｆｈ?ｂａｎｄ？〇Ｂ??ａｔｏｍｓ?ｊｊｅｔｗｓｗｍ?ＭＡＸ?ｐｈ＾ａ＆Ｂ??圖１．４二維材料的剝離方法總結(jié)［１２！??Ｆｉｇ．?１．４．?Ｓｕｍｍａｒｙ?ｏｆ?ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ?ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ?ｆｏｒ?２Ｄ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ?［［２＼??５??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]從二維材料到范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)[J]. 於逸駿,張遠波.  物理. 2017(04)



本文編號：2917044