發(fā)布時間：2020-12-15 02:12

　　液晶與垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器（VCSELs）陣列結(jié)合可實現(xiàn)波長可調(diào)諧、偏振精確控制等,同時液晶的引入也會改變垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器陣列的熱特性,本文設(shè)計了表面液晶-垂直腔面發(fā)射激光器陣列結(jié)構(gòu),并開展了陣列的熱特性實驗研究.對比分析了向列相液晶層對VCSEL陣列熱特性的影響,實驗結(jié)果表明, 1×1, 2×2, 3×3三種表面液晶-VCSEL陣列的閾值電流溫度變化率最高可降低23.6%,熱阻降低26.75%;同時,激光器陣列各發(fā)光單元之間的溫度均勻性顯著提高,出光孔與周圍溫差小于0.5℃.綜上所述,VCSEL陣列中液晶層的引入不僅大大加速激光器陣列單元熱量擴散,而且降低了有源區(qū)結(jié)溫,提高了VCSELs激光器陣列熱特性,為實現(xiàn)高光束質(zhì)量的單偏振波長可控VCSEL激光器陣列打下了良好的理論和實驗基礎(chǔ). 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020年06期 北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]表面液晶-垂直腔面發(fā)射激光器溫度特性的研究[J]. 王強,關(guān)寶璐,劉克,史國柱,劉欣,崔碧峰,韓軍,李建軍,徐晨.  物理學(xué)報. 2013(23)
[2]808 nm In GaAsP-InP單量子阱激光器熱特性研究[J]. 張永明,鐘景昌,路國光,秦莉,趙英杰,郝永芹,姜曉光.  光子學(xué)報. 2006(01)



本文編號：2917450