發(fā)布時(shí)間：2020-12-15 19:50

　　本文制備了基于機(jī)械剝離β-Ga₂O₃的Ni/Au垂直結(jié)構(gòu)肖特基器件,對(duì)該器件進(jìn)行了溫度特性I-V曲線(xiàn)測(cè)試.器件表現(xiàn)出了良好的二極管特性,隨著溫度從300 K升高至473 K,勢(shì)壘高度從1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子從1.32降低至1.19,二者表現(xiàn)出了較強(qiáng)的溫度依賴(lài)特性,這表明器件的肖特基勢(shì)壘存在勢(shì)壘高度不均勻的問(wèn)題.串聯(lián)電阻隨溫度升高而降低,這主要是熱激發(fā)載流子濃度升高導(dǎo)致的.本文利用勢(shì)壘高度的高斯分布對(duì)器件的溫度特性進(jìn)行了修正,修正后的勢(shì)壘高度為1.54 e V,理查孫常數(shù)為26.35 A·cm^–2·K^–2,更接近理論值,這表明利用高斯分布勢(shì)壘高度的熱電子發(fā)射模型能夠很好地解釋Au/Ni/β-Ga₂O₃肖特基二極管的I-V溫度特性問(wèn)題,這種方法更適合用來(lái)測(cè)量β-Ga₂O₃肖特基二極管的電學(xué)參數(shù). 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2020年13期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：10 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]超寬禁帶半導(dǎo)體β-Ga2O3及深紫外透明電極、日盲探測(cè)器的研究進(jìn)展[J]. 郭道友,李培剛,陳政委,吳真平,唐為華.  物理學(xué)報(bào). 2019(07)



本文編號(hào)：2918818