發(fā)布時間：2020-12-17 18:03

　　傳統(tǒng)的二維集成電路已經(jīng)不能通過減小其尺寸來達到進一步提高性能的目的,摩爾定律正在逐漸失效。為了延續(xù)摩爾定律以及進一步提高集成電路的性能,三維集成電路的概念被提出。不同于傳統(tǒng)的二維集成電路,三維集成電路將芯片中各個模塊通過硅通孔垂直堆疊,以達到減小互連線長度、減小寄生參數(shù)和提高集成電路性能的目的。硅通孔是三維集成中最重要的器件之一,由于集成電路上的硅通孔密度很高,而且十分脆弱,因此傳統(tǒng)的探針結(jié)構(gòu)不適用與硅通孔的測試。如何對硅通孔進行測試以提高芯片良品率和對工藝進行監(jiān)測是三維集成電路中的一個重要課題。本文對三維集成電路中的硅通孔測試進行研究。由于本文采用電學(xué)方法對硅通孔進行故障診斷,所以本文首先對硅通孔的電學(xué)建模進行研究。前人的文獻往往脫離硅通孔的物理尺寸而對硅通孔測試進行研究而且僅僅采用公式分析的方法導(dǎo)致了電學(xué)模型不夠精確,本文通過三維全波仿真軟件對硅通孔物理模型進行分析,通過仿真軟件得到的硅通孔等效電學(xué)模型會更加精確,隨后在硅通孔物理模型上注入故障,研究故障對硅通孔等效電學(xué)模型的影響。仿真結(jié)果表明,硅通孔的孔洞故障導(dǎo)致硅通孔的等效電阻增加,硅通孔的漏電故障導(dǎo)致硅通孔和外層基質(zhì)形成的等效... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅通孔制作從上述的硅通孔的制作流程中可以看出，硅通孔的一端被深埋在硅基底中，硅

圖 2-2 硅通孔綁定從上述硅通孔的綁定過程中可以看出，硅通孔的兩端均可以獲得，這個階對硅通孔進行的測試稱為綁定后測試。下圖展示了多層晶片通過硅通孔綁定的示意圖。

多層晶片通過硅通孔綁定的示意圖


本文編號：2922446