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氮化硅納米線的合成及其增強(qiáng)氮化硅基透波復(fù)合材料研究

發(fā)布時(shí)間:2020-12-28 20:37
  隨著導(dǎo)彈與飛行器的快速發(fā)展,尤其是高馬赫數(shù)導(dǎo)彈以及高超聲速飛行器的出現(xiàn),作為集承載、透波、耐蝕、防熱于一體的天線罩需要面對更為嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境。為了實(shí)現(xiàn)在更為嚴(yán)苛條件下的高速飛行,精確制導(dǎo),要求天線罩材料更長時(shí)間的承載能力,更好的抗熱震性能以及更優(yōu)異的透波性能。作為下一代天線罩材料的首選材料,氮化硅具有優(yōu)良的機(jī)械性能,很好的耐高溫性能以及良好的抗熱震性,但作為陶瓷材料,其固有的脆性是妨礙氮化硅材料更好應(yīng)用的一個(gè)難題,因此提高氮化硅陶瓷的韌性成為了氮化硅陶瓷研究的核心課題。針對此課題,本文以氮化硅納米線(Silicon Nitride Nanowires,SNNWs)作為增強(qiáng)體,制備了氮化硅納米線增強(qiáng)氮化硅復(fù)合材料(SNNWs/Si3N4),分別研究了氮化硅納米線的合成工藝和SNNWs/Si3N4復(fù)合材料制備工藝,并對氮化硅納米線和SNNWs/Si3N4復(fù)合材料進(jìn)行了深度表征和分析。采用氣-固相合成法(Vapor-Solid,VS),分別以Al2

【文章來源】:國防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:109 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

氮化硅納米線的合成及其增強(qiáng)氮化硅基透波復(fù)合材料研究


氮化硅納米線的生長機(jī)理:(a)Ni層上的熱應(yīng)力;(b)Ni顆粒的形成和SiO的蒸發(fā);(c)Ni-Si-N顆粒的形成;(d)納米線的生長[89]

示意圖,納米線,碳纖維,基底


國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院工程碩士學(xué)位論文(5)溶液-液相-氣相-固相(solution-liquid-gas-solid, SLGS)生長與 VLS 生長方式不同,SLGS 生長過程中形成的共晶液滴并不包含納米全部元素,而是通過共晶液滴與氣態(tài)物質(zhì)的反應(yīng)析出而在共晶液滴的表米線。C.S. Zheng 等[98]通過通過燃燒合成法合成了氮化硅納米線,其以 Si 粉,烯粉末和金屬粉末的混合物為原料,在高壓燃燒器皿中進(jìn)行反應(yīng),從而 納米顆粒和氮化硅納米線的混合物,其在生長過程中形成 Si-M-C 的三元系液/氣界面與氮?dú)獾姆磻?yīng)生成氮化硅納米線。而 K.Y. Li 等[99]則以碳纖維做基底,以聚硅氮烷,二茂鐵,丙酮的混合溶液為原料,并將編織布置中再固化,之后將編織布在 N2氣氛下加熱到 1200~1400℃,并保溫 3 h,氮化硅納米線,其納米線的生長過程也是一典型的 SLGS 生長,其過程

工藝流程圖,模壓法,素坯,工藝流程圖


圖 1.3 模壓法制備 Si3N4多孔素坯的工藝流程圖[113].3 Flow chart for the preparation of porous Si3N4perform by die-pressing pro 氮化硅陶瓷燒結(jié)工藝無壓燒結(jié)(Pressureless sintering)工藝結(jié)工藝是一種已經(jīng)使用了很多個(gè)世紀(jì)的陶瓷制備工藝,即在適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑,將一定形狀的陶瓷素坯進(jìn)行高溫處理,使部態(tài),燒結(jié)冷卻后得到最終陶瓷的一種工藝。氮化硅無壓燒結(jié)工

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]BNNTs的合成及其增強(qiáng)氮化硅基透波復(fù)合材料的制備及性能研究[D]. 劉海寬.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2014



本文編號:2944369

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