發(fā)布時間：2021-02-19 16:09

　　采用微波放電等離子體源產(chǎn)生高密度F原子,結(jié)合同步輻射真空紫外光電離質(zhì)譜全面檢測F原子在二氧化硅表面刻蝕反應的產(chǎn)物,并探究其反應機理。通過掃描同步輻射光子能量,獲得具有特定質(zhì)量選擇的離子光電離效率譜,測量了反應產(chǎn)物的電離能及碎片離子的出現(xiàn)勢等基本參數(shù);同時結(jié)合量子化學理論計算質(zhì)譜中離子的來源,即對光電離和光解離過程進行了區(qū)分。結(jié)果表明,F原子在二氧化硅表面會反應生成一系列的氟氧硅化合物（Si_xO_yF_z）,主要包括SiF₄、SiF₃OSiF₃和SiFOSiF₂OF等,質(zhì)譜中觀察到的SiF₃⁺、SiF₃OSiF₂⁺等離子信號來源于其對應母體離子的解離碎片。實驗測得SiF₄的電離能為15.85eV,SiF₃⁺和SiF₃OSiF²⁺

【文章來源】：質(zhì)譜學報. 2020,41(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 實驗裝置
    1.2 理論計算
2 結(jié)果與討論
    2.1 微波放電效率
    2.2 光電離質(zhì)譜
    2.3 光電離效率譜
3 結(jié)論與展望


【參考文獻】：
期刊論文
[1]卷煙主流煙氣中幾種醛酮的光電離質(zhì)譜研究[J]. 王健,潘洋.  質(zhì)譜學報. 2012(05)
[2]二氧化硅的干法刻蝕工藝研究[J]. 嚴劍飛,袁凱,太惠玲,吳志明.  微處理機. 2010(02)
[3]等離子體刻蝕工藝的物理基礎(chǔ)[J]. 戴忠玲,毛明,王友年.  物理. 2006(08)

碩士論文
[1]硅同位素豐度的測定及水分標準物質(zhì)研究[D]. 李喜樂.北京化工大學 2011



本文編號：3041357