發(fā)布時間：2023-08-26 03:34

　　隨著集成電路產(chǎn)業(yè)近年來的高速發(fā)展,對可用于12寸晶圓的高純電子級多晶硅的需求不斷提升,但是國內(nèi)少數(shù)廠家僅能進入中低端市場,在高端領(lǐng)域始終被國外技術(shù)壟斷。多晶硅主流的生產(chǎn)工藝是改良西門子法,其核心工序為化學(xué)氣相沉積,配方、流場和溫場分布、硅棒溫度等因素對產(chǎn)品能物耗和質(zhì)量影響。二氯二氫硅作為輔助原料,可提高沉積速率,降低生產(chǎn)能耗和物耗。通過對原料中二氯二氫硅進行獨立控制,研究發(fā)現(xiàn)二氯二氫硅在氣相沉積的不同時期,對于效率提升和產(chǎn)品純度的增益比例有明顯差異,在10%～13%的區(qū)間內(nèi)會形成拐點,實驗結(jié)果顯示二氯二氫硅在前期和中前期應(yīng)控制在10%,中后期降低至5%～7%,可獲得較好的結(jié)果。

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