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二維二硫化鉬/PTCDA異質(zhì)結(jié)的制備及熒光性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2025-02-06 12:11
  新型的二維層狀材料憑借著其優(yōu)異的機(jī)械、光學(xué)、電學(xué)等獨(dú)特性能受到研究者廣泛關(guān)注,二維層狀材料如石墨烯、過(guò)渡金屬硫族化合物等在柔性器件等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景,逐漸成為了現(xiàn)階段研究熱點(diǎn)之一;然而,應(yīng)用的前提是高質(zhì)量的二維材料大面積可控制備,如何制備形貌較好,尺寸較大的二維材料是亟待解決的問(wèn)題。已經(jīng)有初步的研究證明,反應(yīng)過(guò)程中反應(yīng)參數(shù)的變化對(duì)二維材料的制備形貌有明顯的影響。對(duì)此,本文以二硫化鉬(MoS2)作為研究對(duì)象,進(jìn)一步研究不同反應(yīng)參數(shù)對(duì)二維二硫化鉬生長(zhǎng)的影響。通常將不同材料相結(jié)合形成異質(zhì)結(jié)體系可以彌補(bǔ)單一材料的不足,獲得協(xié)同互補(bǔ)效應(yīng),新型二維材料與有機(jī)半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)也受到越來(lái)越多的關(guān)注,二者的結(jié)合展現(xiàn)出與個(gè)體材料不同的光學(xué)電學(xué)特性。之前,有工作報(bào)道了一些有機(jī)半導(dǎo)體與二維二硫化鉬的結(jié)合,但對(duì)有機(jī)/無(wú)機(jī)異質(zhì)結(jié)體系的熒光性能研究較少。因此,有必要研究二維材料與有機(jī)半導(dǎo)體復(fù)合前后體系熒光性能的變化。論文第一章主要介紹過(guò)渡金屬二硫族化合物二維材料的基本性質(zhì)和常見(jiàn)的制備方法,以及二維材料與不同有機(jī)物結(jié)合在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。論文的第二章考察了不同反應(yīng)溫度和不同硫濃度對(duì)二維二硫化鉬生長(zhǎng)的影響。不同反應(yīng)...

【文章頁(yè)數(shù)】:82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1基于IV族和III-V族的MX2化合物的穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能的概括圖

圖1.1基于IV族和III-V族的MX2化合物的穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能的概括圖

器件以及生物探測(cè)等多種領(lǐng)域%11]。??過(guò)渡金屬硫族化合物是一類(lèi)具有MX2層狀結(jié)構(gòu)的材料,其中X代表硫族元素,M代??表在元素周期表內(nèi)位于第四族到第十族之間的過(guò)渡金屬元素。圖1.1為基于IV族和III-V??族的MX2化合物的穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能的概括圖,從圖中可知較為常見(jiàn)的可以制....


圖1.2?(a)層狀M〇S2的原子結(jié)構(gòu);(b)層狀MoS2的蜂窩狀點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)俯視圖

圖1.2?(a)層狀M〇S2的原子結(jié)構(gòu);(b)層狀MoS2的蜂窩狀點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)俯視圖

二硫化鑰(molybdenumdisulfide,?M0S2)作為一種較為典型的過(guò)渡金屬二硫族化合物??逐漸成為研究熱點(diǎn)。與零帶隙石墨烯相比較,二硫化鉬作為一種半導(dǎo)體材料具有間接帶隙,??且?guī)秾挒椋保玻?eV[12]:硫化鉬的結(jié)構(gòu)為六方晶體層狀結(jié)構(gòu)(圖1.2),圖1.2a為層....


圖1.4?(a)機(jī)械剝離法得到的單層、雙層MoS2片層的熒光光譜,插圖為1層到6層MoS2??片層的熒光量子產(chǎn)率;(b)?MoS2的能帶結(jié)化示,EMoS2

圖1.4?(a)機(jī)械剝離法得到的單層、雙層MoS2片層的熒光光譜,插圖為1層到6層MoS2??片層的熒光量子產(chǎn)率;(b)?MoS2的能帶結(jié)化示,EMoS2

及特殊的光學(xué)特性主要與形成MoS2導(dǎo)帶與價(jià)帶的d電子軌道有關(guān)[18]。當(dāng)M0S2為塊狀時(shí),??電子躍遷從價(jià)帶頂r處躍遷到位于K/r之間的導(dǎo)帶底;當(dāng)M〇s2為單層時(shí),能帶結(jié)構(gòu)由間??接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋,如圖1.4b所不。??(a),__■一一?_■???(b)H__"???H??....


圖1.5?(a)?Si/Si02表面生長(zhǎng)單層MoS2的拉曼光譜;(b)?Si〇2表面生長(zhǎng)單層MoS2的熒光??光譜

圖1.5?(a)?Si/Si02表面生長(zhǎng)單層MoS2的拉曼光譜;(b)?Si〇2表面生長(zhǎng)單層MoS2的熒光??光譜

第一章緒論??單層二硫化鉬的結(jié)構(gòu)性能表征也是一大研究熱點(diǎn),比較常用的為拉曼光譜表征和熒光??光譜表征。圖1.5a為單層MoS2的拉曼光譜,在波數(shù)為385?cm-1和405?〇1^附近出現(xiàn)兩個(gè)??拉曼特征峰,可分別歸于Mo-S的面內(nèi)振動(dòng)E、峰和面內(nèi)振動(dòng)八18峰[2()]。一般通過(guò)兩....



本文編號(hào):4030407

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