發(fā)布時間：2024-07-02 05:00

　　納米銀焊膏以其優(yōu)良的機械、電、熱性能,以及綠色無鉛等優(yōu)點,逐漸取代傳統(tǒng)的錫鉛焊料和無鉛焊料成為功率半導體器件封裝的關鍵材料之一。但是大量研究表明,銀是一種極易發(fā)生遷移的金屬,而金屬的電化學遷移是電子元器件失效的主要形式之一。以往針對銀的電化學遷移行為的研究主要集中在常溫潮濕環(huán)境中,但是隨著可應用于高溫環(huán)境下的寬禁帶半導體功率器件的發(fā)展,銀在高溫環(huán)境下的電化學遷移行為也引起了重視。有研究者提出制備Ag合金粉末代替純銀,如Ag-Pd,可以有效控制銀的電化學遷移。但是目前的制備方法都存在工藝復雜,銀鈀粒子易團聚等問題,而且關于Pd或Ag-Pd合金抑制機理的報道很少。因此,亟需探究一種新工藝,并澄清Pd或Ag-Pd合金的對銀電化學遷移的抑制機制。本文提出了一種混合制備工藝并制備了納米Ag-Pd焊膏,主要研究了該焊膏的高溫電化學遷移行為和Pd微粒對銀的電化學遷移抑制機理。這為功率半導體器件高溫封裝的可靠性設計提供了理論指導。首先,本文將Pd微粒加入到納米銀焊膏中混合制備了納米Ag-Pd焊膏,并通過燒結過程實現(xiàn)銀鈀的合金化。結果表明:焊膏中Ag粒子和Pd粒子的合金化程度隨著燒結溫度的升高而加劇,其...

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

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圖2-1納米銀焊膏的制備過程

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本文編號：3999719