發(fā)布時間：2020-12-07 02:56

　　近年來,半導(dǎo)體存儲器應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展,移動通訊、移動多媒體及移動存儲市場急劇擴(kuò)大,半導(dǎo)體市場中存儲器所占份額則呈平穩(wěn)增長趨勢。存儲器家族龐大,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器SRAM即是其中的一員。目前針對不同的應(yīng)用市場,SRAM的產(chǎn)品技術(shù)也有了兩個明確的發(fā)展方向,一個是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展,另一個是向低功耗性能發(fā)展,以適應(yīng)便攜式設(shè)備以及SOC系統(tǒng)的需要。優(yōu)化SRAM功耗,除了可以直接大幅地降低系統(tǒng)功耗,解決散熱問題,延長電池的使用壽命,還可以顯著降低成本,最重要的是能夠節(jié)約能源,真正的做到“綠色科技”。本文的研究重點是大容量靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的低功耗設(shè)計,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計一款1Mx8的SRAM。該存儲器可以實現(xiàn)正確的讀寫功能,并且典型的平均功耗為1.59W,較改進(jìn)前降低了約22%,其它設(shè)計參數(shù)也都達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)。本文的研究思路如下：第一章概述論文的研究背景及意義,并介紹了低功耗SRAM的研究現(xiàn)狀以及低功耗設(shè)計的重要意義。第二章主要介紹SRAM的基本知識以及低功耗設(shè)計相關(guān)理論,并從SRAM可靠性的角度引入了靜態(tài)噪聲容限的概念,最后介紹了目前幾種比較流行的低功耗設(shè)計技術(shù)。第三章針對各個... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

讀操作簡化電路圖

噪聲容限是對噪聲程度的一種度量，表示多大的噪聲會使最壞輸出電壓被破壞成為不可識別的輸入值，其定義包括兩部分，一個是高電平噪聲容限NMH，另一個則是低電平噪聲容限NML，圖2一8即為CMOS器件的邏輯電平以及噪聲容限表

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文圖2一10靜態(tài)噪聲等效電路如圖2一9所示，假設(shè)Q==l，Qes于0，并且在進(jìn)行讀操作之前互補(bǔ)位線BL及B幾已經(jīng)通過列上拉電路預(yù)充至電源電壓VDD，正如上文所描述的，當(dāng)WL被選中時，兩個NMoS傳輸管MS和M6導(dǎo)通，又因為Q=1，Qes于o


本文編號：2902487