發(fā)布時(shí)間：2020-12-07 23:31

　　近年來(lái)，利用Stranski-Krastanow方式（簡(jiǎn)稱(chēng)S-K方式）自組織生長(zhǎng)的量子點(diǎn)越來(lái)越受到人們的關(guān)注。基于這種量子點(diǎn)的半導(dǎo)體器件既有非常廣闊的應(yīng)用前景又具有很大的理論研究意義。通過(guò)研究量子點(diǎn)器件的工作原理，可以得到有關(guān)量子點(diǎn)能級(jí)的詳細(xì)信息。 本文報(bào)道的基于pHEMT結(jié)構(gòu)的InAs／GaAs量子點(diǎn)存儲(chǔ)器，既能在室溫下工作，又可以只用柵極電壓來(lái)控制其存儲(chǔ)狀態(tài)，具有十分重要的應(yīng)用前景。我們?cè)谑覝叵聦?duì)InAs／GaAs量子點(diǎn)存儲(chǔ)器進(jìn)行了延滯回線(xiàn)、溝道電導(dǎo)實(shí)時(shí)測(cè)試、偏壓降溫C-V特性等測(cè)試。 本文首先概述了量子點(diǎn)的基本概念、主要性質(zhì)、制備方法和器件應(yīng)用，以及量子點(diǎn)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與工作原理。我們共制備了四種不同結(jié)構(gòu)的InAs／GaAs量子點(diǎn)材料，并分別加工成器件，用于實(shí)驗(yàn)測(cè)試。利用FET與I-V特性測(cè)試來(lái)判斷器件加工工藝是否符合要求，并判別器件性能的優(yōu)劣，選取所需的器件進(jìn)行后續(xù)的測(cè)試；延滯回線(xiàn)測(cè)試表明器件具有明顯的延滯特征，也就說(shuō)明了該器件在不同柵壓條件下能夠形成兩種不同的狀態(tài)，因此具有存儲(chǔ)效應(yīng)；利用溝道電導(dǎo)實(shí)時(shí)測(cè)試不僅可以得出器件工作的原理，還可以測(cè)得相應(yīng)的存儲(chǔ)保持時(shí)間，其中V... 

【文章來(lái)源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

一K生長(zhǎng)方式示意圖

基本H五MT結(jié)構(gòu)不怠圖

圖110劉允drli招turmentsVGSe而conV90HMBE分子束外延技術(shù)是在二十世紀(jì)七十年代由美國(guó)新澤西州貝爾實(shí)驗(yàn)室的卓以和博士發(fā)明的一種晶體生長(zhǎng)技術(shù)，它使科研和工程人員能夠在次納米層次及其精確地制造復(fù)合半導(dǎo)體裝置〔79]。該技術(shù)除了可以生長(zhǎng)原子級(jí)精度的同質(zhì)結(jié)構(gòu)，還可以生長(zhǎng)如量子阱、超晶格、量子線(xiàn)及量子點(diǎn)等多種多樣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。下面本文將介紹分子束外延系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及反射高能電子衍射儀(RefiectinoHihgEne卿ElectornDi價(jià)action，簡(jiǎn)稱(chēng)RH五ED)的工作原理。1.分子束外延(MBE)系統(tǒng)分子束外延(MoleeularBeamEpitxay，簡(jiǎn)稱(chēng)MBE)1801一{551技術(shù)本質(zhì)上是在超高真空條件下，對(duì)蒸發(fā)束源和外延襯底溫度加以精確控制的薄膜蒸發(fā)技術(shù)。該技術(shù)可以在原子尺度上精確控制外延厚度、摻雜和界面平整度。它是在20世紀(jì)50年代發(fā)展起來(lái)的真空沉積111一V族化合物的三溫度法，以及1968年

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]半導(dǎo)體量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)理及特性[J]. 王亞?wèn)|,黃靖云,王龍成,葉志鎮(zhèn).  半導(dǎo)體技術(shù). 2000(06)
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本文編號(hào)：2904071