發(fā)布時(shí)間：2020-12-11 15:37

　　儲(chǔ)器是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可缺少的一個(gè)組成部分。按存儲(chǔ)性質(zhì)分類,可分為:SRAM靜態(tài)RAM(Static RAM);DRAM動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM);PROM可編程ROM(Programable ROM );EPROM可擦除、可編程(Erasable PROM);EEPROM電可擦除可編程(Electrically Erasable PROM),以及目前流行的FlashMemory。對(duì)于靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM,由于其具有訪問速度最快,不需要刷新等特點(diǎn),在需要高速數(shù)據(jù)處理能力的領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體工業(yè)遵循著名的摩爾定律發(fā)展,每個(gè)芯片所能存儲(chǔ)的位數(shù)不斷地成指數(shù)增加,從而使制造工藝對(duì)存儲(chǔ)單元的干擾變得更為嚴(yán)重。由于無(wú)法避免在亞微米甚至深亞微米的工藝下產(chǎn)生的缺陷,如果存儲(chǔ)器陣列沒有包括冗余的存儲(chǔ)單元,以及在生產(chǎn)中沒有利用這些冗余的存儲(chǔ)單元對(duì)有缺陷的部分進(jìn)行修復(fù)的話,那么存儲(chǔ)器芯片的成品率將接近0%。因此,對(duì)存儲(chǔ)器的測(cè)試并修復(fù)有缺陷的單元就非常重要了。本文對(duì)靜態(tài)存儲(chǔ)器的測(cè)試做了詳細(xì)的分析,并使用了新的March算法對(duì)芯片做了功能測(cè)試,在Teradyne J750測(cè)試平臺(tái)上對(duì)芯片做... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：84 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MP存儲(chǔ)器的功能模型

基于電流方向感應(yīng)的電流模式感應(yīng)放大器

所有 2PF3s 的分類。從表可知它是對(duì)稱的效類型，2PF3s 僅有六種失效類型。表 3.3：2PF3s 失效概括wCFid wCFst ewCFid&wCFid wCFid&wCFst wCFst&wCFid wCFst&wCFst wCFds&wCFid wCFds&wCFst 元組成的 2PFs：2PFks為基于 w1PFks 的 2PFks 和基于 w1PF1s 和 顯示了這種分類。第一子類是 wNPSF&wN是 wNPSF&w1PF1s。接下來會(huì)分別討論


本文編號(hào)：2910790