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基于ZnO薄膜電阻存儲(chǔ)器的制備及性能研究

發(fā)布時(shí)間:2025-01-05 21:04
  

【文章頁(yè)數(shù)】:120 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【文章目錄】:
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 ZnO薄膜的基本特性及其應(yīng)用
    1.3 電阻存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
    1.4 ZnO電阻存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
    1.5 本論文主要研究?jī)?nèi)容
第二章 基于ZnO薄膜電阻存儲(chǔ)器的制備及表征
    2.1 器件制備
    2.2 器件表征
第三章 氧分壓對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    3.3 計(jì)算方法
    3.4 結(jié)果與討論
    3.5 本章小結(jié)
第四章 退火對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    4.3 結(jié)果與討論
    4.4 本章小結(jié)
第五章 ZnO薄膜厚度對(duì)電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    5.3 結(jié)果與討論
    5.4 本章小結(jié)
第六章 電極對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    6.1 引言
    6.2 下電極對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    6.3 上電極對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    6.4 電極尺寸對(duì)ZnO薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性的影響
    6.5 本章小結(jié)
第七章 Pt/ZnO:Ti/n+-Si電阻存儲(chǔ)器的研究
    7.1 引言
    7.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    7.3 結(jié)果與討論
    7.4 本章小結(jié)
第八章 Pt/TiOx/ZnO/n+-Si電阻存儲(chǔ)器的研究
    8.1 引言
    8.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    8.3 結(jié)果與討論
    8.4 本章小結(jié)
第九章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡(jiǎn)歷
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其它研究成果



本文編號(hào):4023262

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