發(fā)布時(shí)間：2025-01-05 21:21

　　 借助脈沖激光沉積和原子層沉積系統(tǒng),采用SiO2作為隧穿氧化物,Al2O3作為阻擋氧化物,制備了多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲(chǔ)器件。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)電極偏壓為±12 V時(shí),存儲(chǔ)窗口達(dá)到7.1 V,電荷存儲(chǔ)密度約為2.5×1013cm-2。HfO2/Al2O3之間的界面在電荷存儲(chǔ)過程中起著關(guān)鍵的作用,更多的電荷存儲(chǔ)在界面的陷阱之上。經(jīng)過3.6×104s的保持時(shí)間,25,85和150℃測(cè)試溫度下,器件的電荷損失量分別為5%,12%和23.5%。線性外推實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到,150℃下,經(jīng)過10年的電荷損失量約為42%。器件優(yōu)異的保持性能主要?dú)w因于HfO2/Al2O3薄膜之間較大的導(dǎo)帶補(bǔ)償。由此可以看出,多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲(chǔ)器件是一種極具應(yīng)用前景的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

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【文章目錄】：
1 器件的制備與測(cè)試分析
    1.1 陶瓷靶材的制備
    1.2 電荷存儲(chǔ)器件的制備
    1.3 器件的微觀結(jié)構(gòu)表征和電學(xué)性能分析
2 結(jié)果分析
    2.1 器件的微觀結(jié)構(gòu)
    2.2 器件的電荷存儲(chǔ)窗口測(cè)試
    2.3 器件保持性能測(cè)試
    2.4 器件的能帶排列分析
3 結(jié)論



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