發(fā)布時間：2024-07-06 05:31

　　近年來,六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料被廣泛地研究,尤其是具有內(nèi)部結(jié)構(gòu)的六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料,其良好的物理性質(zhì)也逐漸地被挖掘。在本文中,我們利用緊束縛模型和格林函數(shù)的方法探究了兩種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料的輸運性質(zhì)。第一種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料是硅烯,在這里我們提出了兩種不同類型的非對稱T型硅納米帶,其具有特殊的自旋傳輸特性。在兩種不同T型硅烯納米帶中,我們通過改變一端的大小來調(diào)節(jié)整體電導。考慮到交換場,近乎完美的自旋極化可以在半導體T型硅烯納米帶這種結(jié)構(gòu)中輕松獲得。另外通過調(diào)節(jié)T型各端、電場和交換場的大小,可以控制每端的自旋極化。另外一種六角蜂窩狀結(jié)構(gòu)材料是錫烯,我們探究了錫烯納米帶的相關電子結(jié)構(gòu)和輸運的性質(zhì)。在這里我們將錫烯納米帶散射區(qū)沿寬度方向分成均等的兩子散射區(qū)。首先,在兩子散射區(qū)作用反鐵磁交換場,通過調(diào)節(jié)兩子散射區(qū)反鐵磁交換場作用錫烯納米帶中兩種不同原子的方向和大小,最終考慮到垂直電場的作用,實現(xiàn)了近乎完美的自旋極化。然后,在兩子散射區(qū)分別作用鐵磁和反鐵磁交換場(雜交交換場)。在兩子散射區(qū)相鄰原子交換場作用方向相同情況下,由于谷的劈裂,盡管這時兩子散射區(qū)交換場的大小可以控制邊緣態(tài)自旋的極化,但不考慮...

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１半導體二維電子氣機制

第二章電子結(jié)構(gòu)和電導的計算方法一格林函數(shù)法??２．１緊束縛模型??二維電子氣（Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｕｓｉｏｎａ．ｌ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｇａｓ）是量子效應的產(chǎn)物，指電子可以在二維平面內(nèi)自由移動，而在第三維上受到限制的電子群。體表面加上一個垂直于半導體表面的電場，在表面附近形成一個電子勢....

圖２－３三終端結(jié)構(gòu)機制

?２．５三終端機制的電導??在實際計算中，我們通常會碰到多終端體系，例如三終端體系，如圖２－３所??示。通常我們是利用自能項把多終端問題轉(zhuǎn)化成一個有效的兩終端問題，然后??計算等效的兩終端問題的格林函數(shù)，進而求得體系的電導。??Ｉ人人人??、人Ｔ＇??人■人Ｊ??＜人人人??ｊｎ....

圖３－１－１兩種Ｔ型娃納米帶結(jié)構(gòu)示意圖??Ｔ硅子和輸運性質(zhì)可以用緊束縛模型來表示

圖３－１－１兩種Ｔ型娃納米帶結(jié)構(gòu)示意圖??非對稱的Ｔ型硅納米帶的電子結(jié)構(gòu)和輸運性質(zhì)可以用緊束縛模型來表示。??根據(jù)格點模型，整個系統(tǒng)的哈密頓可以表達成如下的形式：??Ｈ?＝?－ｔ＇＾２＜ｉ，ｊ＞ａ?ｃｉａＣｊａ?＋?？：３〉３?Ｓ？ｊ，ｊ＞＞ａ／３?ＶｉｊＣｉ〇ａａｌ３Ｃｉ０??....

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圖３－１－２?（ａ）和（ｂ）分別表示在Ｉ型Ｔ型的桂納米帶中，當７Ｖ２１?＝?１２，?１４時，電子從Ｌ端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾妼�；（ｃ）和（ｄ）分別表不在Ｉ型Ｔ硅納米帶中，當ＴＶｒｌ?＝?１２，?％?＝?１６時，電子從Ｌ端傳輸?shù)剑叶撕停远说碾姟??閣３－１－２屮展示了Ｉ型Ｔ型硅納米帶....

本文編號：4002135