發(fā)布時(shí)間：2025-03-17 21:51

　　 【目的】本文探究了噴施Si對(duì)Cd脅迫下番茄葉片光系統(tǒng)II電子傳遞的影響,為低Si吸收作物番茄栽培過程中硅肥的合理施用、防治鎘污染提供理論依據(jù)。【方法】以"耐裂王"番茄為材料,利用盆栽法模擬不同Cd含量的土壤,噴施不同濃度的Si溶液,采用Dual-PAM-100雙通道熒光測(cè)定儀分析測(cè)定PSⅡ快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動(dòng)力學(xué)特性。【結(jié)果】鎘脅迫可導(dǎo)致快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動(dòng)力學(xué)曲線改變,最小熒光值（F_o）和K相相對(duì)可變熒光（V_k）顯著增加。噴施Si可以降低Cd脅迫下番茄葉片的F_o和V_k。鎘脅迫引起單位反應(yīng)中心吸收的光能（ABS/RC）、捕獲的光能（TRo/RC）和熱耗散的能量（DIo/RC）增加,而降低單位反應(yīng)中心傳遞的能量（ETo/RC）、PSⅡ最大電子傳遞速率(ETR_max)和光合性能(PI_abs),導(dǎo)致番茄葉片光合機(jī)構(gòu)完整性被破壞,單位PSⅡ反應(yīng)中心數(shù)量發(fā)生變化,PSⅡ供、受體側(cè)受到毒害,抑制光合電子傳遞。噴施Si可以降低Cd脅迫下番茄葉片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PSⅡ...

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

圖1 外源Si對(duì)不同鎘濃度土壤栽培番茄葉片快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動(dòng)力學(xué)曲線的影響

表1試驗(yàn)設(shè)置Table1Treatments土壤鎘處理Treatmentsofcadmium鎘含量(mg/kg)Cadmiumcontent噴施Si處理TreatmentsofsiliconSi濃度(mmol/L)Siliconcontent處理編號(hào)T....

圖2 外源Si對(duì)不同鎘含量土壤栽培番茄幼苗葉片相對(duì)可變熒光 ΔVt的影響

K點(diǎn)的出現(xiàn)和K相相對(duì)可變熒光(Vk)可以作為放氧復(fù)合體(OEC)遭受破壞和PSⅡ供體側(cè)的受損程度的標(biāo)記[21-22]。如圖2相對(duì)可變熒光ΔVt的分析結(jié)果可知,不同濃度的Cd栽培番茄葉片在0.3ms特征位點(diǎn)處出現(xiàn)K相,ΔK>0,此外ΔJ和ΔI均>0,這與高溫脅迫下番茄葉片響應(yīng)一樣....

圖3 外源Si對(duì)不同鎘濃度土壤栽培番茄葉片初始熒光和最大熒光的影響

圖2外源Si對(duì)不同鎘含量土壤栽培番茄幼苗葉片相對(duì)可變熒光ΔVt的影響由圖3可以看出,H處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o顯著低于未噴施的H處理,噴施高濃度Si和中等濃度Si以后,Fo顯著低于CK和HL處理,但相互無顯著差異。L處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o均顯著低于C....

圖4 外源Si對(duì)不同鎘濃度土壤栽培番茄幼苗葉片PSⅡ受體側(cè)參數(shù)的影響

由圖3可以看出,H處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o顯著低于未噴施的H處理,噴施高濃度Si和中等濃度Si以后,Fo顯著低于CK和HL處理,但相互無顯著差異。L處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o均顯著低于CK,除LL處理顯著低于L處理外,LH和LM處理與未噴施Si的L處理無顯著....

本文編號(hào)：4035525