發(fā)布時(shí)間：2024-06-04 03:46

　　以數(shù)字集成電路為基礎(chǔ)的各類(lèi)微處理器和微控制器廣泛應(yīng)用于社會(huì)的各個(gè)行業(yè),處于信息采集和處理的中心位置。由于集成電路的基礎(chǔ)地位,其可靠性就成為了整個(gè)系統(tǒng)正常工作的重要因素,尤其是在航天和軍事應(yīng)用等方面。 當(dāng)高能粒子入射半導(dǎo)體材料時(shí),晶體管中的敏感區(qū)域會(huì)收集產(chǎn)生的電荷。如果收集的電荷足夠多,由此而產(chǎn)生的單粒子效應(yīng)會(huì)暫時(shí)改變節(jié)點(diǎn)的邏輯值,造成一個(gè)軟錯(cuò)誤。隨著集成電路工藝的升級(jí),軟錯(cuò)誤已成為影響電路可靠性的主要因素。與存儲(chǔ)電路相比,邏輯電路的軟錯(cuò)誤率一直處于相對(duì)較低的狀態(tài)。當(dāng)工藝進(jìn)入納米級(jí)之后,邏輯電路軟錯(cuò)誤率迅速上升,有超越存儲(chǔ)電路的趨勢(shì)。 本文針對(duì)集成電路中的軟錯(cuò)誤,介紹了軟錯(cuò)誤的形成機(jī)理以及評(píng)估和加固方法,研究了邏輯電路中軟錯(cuò)誤的產(chǎn)生過(guò)程和評(píng)估方法,提出了一種用于評(píng)估邏輯電路軟錯(cuò)誤率的模型。 本文提出的邏輯電路軟錯(cuò)誤率評(píng)估模型基于軟錯(cuò)誤的產(chǎn)生過(guò)程,分析了誘發(fā)軟錯(cuò)誤的瞬時(shí)脈沖的產(chǎn)生、傳播和捕獲三個(gè)階段,利用邏輯電路中固有的邏輯屏蔽效應(yīng)、電氣屏蔽效應(yīng)和窗口屏蔽效應(yīng)等現(xiàn)象來(lái)確定敏化路徑以加速計(jì)算。 本文提出的模型能夠從電路網(wǎng)表文件中獲取電路拓?fù)湫畔?能夠根據(jù)電路中邏輯門(mén)的尺寸信息來(lái)快速準(zhǔn)確地計(jì)算...

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1太陽(yáng)風(fēng)與地球磁場(chǎng)

圖1.1太陽(yáng)風(fēng)與地球磁場(chǎng)含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達(dá)度以11年為周期，在太陽(yáng)活動(dòng)極大年（SolarMax），太陽(yáng)風(fēng)強(qiáng)度急劇增加，耀斑期間的通量可達(dá)109cm電路產(chǎn)生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽(yáng)風(fēng)....

圖1.2范艾倫帶

圖1.1太陽(yáng)風(fēng)與地球磁場(chǎng)含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達(dá)度以11年為周期，在太陽(yáng)活動(dòng)極大年（SolarMax），太陽(yáng)風(fēng)強(qiáng)度急劇增加，耀斑期間的通量可達(dá)109cm電路產(chǎn)生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽(yáng)風(fēng)....

圖1.3大氣輻射環(huán)境雖然衰減之后的這些次級(jí)粒子的能量減小，但在大氣層中的粒子密度急劇增6-2-1

3×104cm-2s-1。外范艾倫帶包含能量小于數(shù)兆電子伏特的質(zhì)子和的電子，通量最高達(dá)1010cm-2s-1。陽(yáng)耀斑期間，質(zhì)子的全方位注量率可能增加若干個(gè)量級(jí)。在范子的全方位注量率最高可達(dá)1014cm-2s-1，其能量大于4MeV，率也高達(dá)1010cm-2s-1，能量大....

圖1.4高能粒子入射晶體管

圖1.4高能粒子入射晶體管EU和SET發(fā)生的不同位置，可以將軟錯(cuò)誤分為存儲(chǔ)單元內(nèi)的軟兩類(lèi)。存儲(chǔ)單元內(nèi)的軟錯(cuò)誤又叫做單粒子翻轉(zhuǎn)，而邏單粒子瞬態(tài)。單粒子翻轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)（SingleEventUpset，SEU）是指各種類(lèi)型的存儲(chǔ)單元M單元、觸發(fā)器（Flip-Flop）和鎖存器（L....

本文編號(hào)：3988817