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D-A-D型空穴傳輸材料的設(shè)計(jì)合成及其在鈣鈦礦太陽(yáng)電池中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2025-02-09 10:49
  近年來(lái),隨著全球能源形勢(shì)的日益緊張以及對(duì)新型能源需求的日趨激烈,制備方法簡(jiǎn)單、光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)(已達(dá)25.2%)高的鈣鈦礦太陽(yáng)電池(PSCs)受到研究人員的廣泛關(guān)注。作為其中的重要組成部分,空穴傳輸材料(HTMs)起著傳輸空穴、阻擋載流子復(fù)合、保護(hù)鈣鈦礦層等重要作用,其性能的優(yōu)劣對(duì)PSCs的器件效率和穩(wěn)定性有著重大影響。目前最常用的HTMs是2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(spiro-OMeTAD),但由于 spiro-OMeTAD需要摻雜鋰鹽等添加劑提高其空穴遷移率,而添加劑的引入會(huì)降低器件的濕度穩(wěn)定性,并且spiro-OMeTAD價(jià)格昂貴,因此,開(kāi)發(fā)新型廉價(jià)、高效、穩(wěn)定的無(wú)摻雜HTMs是PSCs商業(yè)化應(yīng)用的重要一步。同時(shí),由于給電子-吸電子-給電子(D-A-D)結(jié)構(gòu)的材料具有較低的HOMO能級(jí)和較高的空穴傳輸率,其逐漸受到研究人員的關(guān)注。本論文設(shè)計(jì)合成了一系列D-A-D型有機(jī)小分子HTMs,在此之前,由于D-A-D型有機(jī)小分子材料具有較低的HOMO能級(jí)和較高的空穴遷移率,已在有機(jī)太陽(yáng)能電池中進(jìn)行了廣泛的研究。此外,研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)將D-A-D分...

【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 鈣鈦礦太陽(yáng)電池概述
        1.2.1 鈣鈦礦太陽(yáng)電池器件結(jié)構(gòu)
        1.2.2 鈣鈦礦太陽(yáng)電池工作原理
    1.3 空穴傳輸材料的作用、要求、分類(lèi)
    1.4 小分子空穴傳輸材料研究進(jìn)展
        1.4.1 基于螺旋型結(jié)構(gòu)的有機(jī)小分子HTMs
        1.4.2 基于星型結(jié)構(gòu)的有機(jī)小分子HTMs
        1.4.3 基于線型結(jié)構(gòu)的有機(jī)小分子HTMs
    1.5 選題思路與內(nèi)容
第2章 空穴傳輸材料性質(zhì)測(cè)試和鈣鈦礦太陽(yáng)電池研究方法
    2.1 引言
    2.2 空穴傳輸材料性質(zhì)的測(cè)試方法
        2.2.1 核磁共振分析
        2.2.2 紫外可見(jiàn)吸收光譜和熒光發(fā)射光譜
        2.2.3 循環(huán)伏安法
        2.2.4 差示掃描量熱分析
        2.2.5 空穴遷移率測(cè)試
        2.2.6 DFT理論計(jì)算
        2.2.7 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡分析
        2.2.8 穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)熒光測(cè)試
    2.3 鈣鈦礦太陽(yáng)電池的制備及研究方法
        2.3.1 導(dǎo)電玻璃預(yù)處理
        2.3.2 TiO2致密層的制備
        2.3.3 TiO2骨架層的制備
        2.3.4 鈣鈦礦光吸收層的制備
        2.3.5 空穴傳輸層的制備
        2.3.6 電極的制備
        2.3.7 電池伏安特性曲線測(cè)試
        2.3.8 入射單色光光子-電子轉(zhuǎn)化效率測(cè)試
        2.3.9 電化學(xué)阻抗測(cè)試
        2.3.10 電池穩(wěn)定性測(cè)試
第3章 D-A-D空穴傳輸材料中心基團(tuán)吸電性的研究
    3.1 引言
    3.2 主要原料與試劑
    3.3 材料的合成
    3.4 材料的光物理、電化學(xué)和空穴傳輸性質(zhì)
    3.5 材料的密度泛函理論計(jì)算
    3.6 材料的穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)熒光測(cè)試
    3.7 基于材料的鈣鈦礦太陽(yáng)電池性能
    3.8 電池的穩(wěn)定性測(cè)試
    3.9 本章小結(jié)
第4章 噻吩過(guò)渡橋?qū)-A-D空穴傳輸材料平面性影響的研究
    4.1 引言
    4.2 主要原料與試劑
    4.3 材料的合成
    4.4 材料的光物理和電化學(xué)性質(zhì)
    4.5 材料的DFT理論計(jì)算
    4.6 材料的空穴遷移率和穩(wěn)態(tài)熒光測(cè)試
    4.7 基于材料的鈣鈦礦太陽(yáng)電池性能
    4.8 電池的電化學(xué)阻抗測(cè)試
    4.9 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
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本文編號(hào):4032107

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