發(fā)布時(shí)間：2018-01-23 11:17

  本文關(guān)鍵詞： 硅 光致衰減 少子壽命 太陽(yáng)電池　出處：《物理學(xué)報(bào)》2014年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用氙燈模擬太陽(yáng)光源,將光強(qiáng)調(diào)至1000 W/m2,研究常規(guī)太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片、多晶硅片和物理提純硅片的原片、去損減薄片、熱氧化鈍化片、雙面鍍氮化硅(SiN x:H)膜鈍化片、碘酒鈍化片以及太陽(yáng)電池的光衰規(guī)律.利用WT-2000少子壽命測(cè)試儀以及太陽(yáng)電池I-V特性測(cè)試儀分別對(duì)硅片的少子壽命和太陽(yáng)電池的I-V特性參數(shù)隨光照時(shí)間的變化進(jìn)行了測(cè)試.結(jié)果表明:所有硅片以及太陽(yáng)電池在光照的最初60 min內(nèi)衰減很快隨后衰減變慢,180 min之后光衰速率變得很小,幾乎趨于零.
[Abstract]:The xenon lamp was used to simulate the solar light source, and the light was emphasized to 1000W / m2. The conventional solar single crystal silicon wafer, polycrystalline silicon wafer and physical purified silicon wafer were studied. SiN x: h) film passivated with silicon nitride on both sides. The rule of light decay of iodized wine passivated sheet and solar cell. The minority carrier lifetime of silicon wafer and the I-V characteristic parameter of solar cell were measured by WT-2000 minority carrier life tester and solar cell I-V characteristic tester, respectively. The results show that:. The decay of all silicon wafers and solar cells within the first 60 min of light quickly attenuated and then slowed down. After 180 min, the light decay rate becomes very small, almost to zero.
【作者單位】： 中山大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院 太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):50802118) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2011A032304001) 中央高�；�本研究經(jīng)費(fèi)青年教師培育項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):11lgpy40)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 1引言自從1973年Fischer和Pschunder[1]第一次發(fā)現(xiàn)硼(B)摻雜硅片的光衰現(xiàn)象以來(lái),晶體硅材料及其太陽(yáng)電池的光衰問(wèn)題就一直受到人們的關(guān)注.1989年Kimerling等[2]提出了施主-受主對(duì)(如FeB)分解模型,認(rèn)為FeB對(duì)的光誘導(dǎo)分解使硅太陽(yáng)電池的性能受到Fe的污染而衰減,但是這一模型不能

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

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相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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1 袁炳輝;付o

本文編號(hào)：1457414