發(fā)布時(shí)間：2025-02-05 17:02

　　近年來,有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料由于其出色的光電性能受到了廣泛的關(guān)注。它同時(shí)具有發(fā)光峰位可調(diào)節(jié)、較高的載流子遷移率、較長(zhǎng)的載流子擴(kuò)散距離、寬光譜吸收等特點(diǎn),因而在發(fā)光二極管(light emitting diode)和太陽(yáng)能電池方面都存在很大的應(yīng)用前景。隨著對(duì)鈣鈦礦材料研究的不斷深入,多量子阱結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦材料目前已被多次應(yīng)用于高效率的鈣鈦礦發(fā)光二極管中,然而很少有報(bào)道指出其中的長(zhǎng)鏈胺離子的選擇對(duì)其薄膜發(fā)光性能的影響。本論文以基于苯丁胺的多量子阱鈣鈦礦材料為主要研究對(duì)象,討論了其中長(zhǎng)鏈胺的比例對(duì)材料光譜性質(zhì)造成的影響,獲得了高熒光量子效率的紅光鈣鈦礦薄膜,研究了其多量子阱結(jié)構(gòu)與能量轉(zhuǎn)移過程。然后通過與基于丁胺的多量子阱鈣鈦礦材料的形貌、結(jié)構(gòu)、光譜性質(zhì)進(jìn)行對(duì)比,指出長(zhǎng)鏈胺的選擇會(huì)對(duì)多量子阱鈣鈦礦薄膜的n值分布、能量傳輸過程、非輻射復(fù)合通道等光譜性質(zhì)產(chǎn)生影響。并在此基礎(chǔ)上通過選擇器件中的各層材料和優(yōu)化鈣鈦礦LED(light emitting diode)器件,最終制備了高效率的紅光鈣鈦礦LED器件。

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

２．１．１三維鈣鈦礦材料的基本結(jié)構(gòu)??鈣鈥礦材料是指一系列與鈦酸鈣（ＣａＴｉ０３）具有相同晶體結(jié)構(gòu)的材料，即原??子結(jié)構(gòu)符合ＡＢＸ３的材料。圖２．１顯示的是三維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的基本單元。⑴其中??Ａ和Ｂ是陽(yáng)離子，Ｘ是陰離子。結(jié)構(gòu)上Ｂ陽(yáng)離子為中心離子，與周圍６個(gè)Ｘ陰??離子形成正八面體....

圖２．２常見１２種鈣鈦礦容忍因子ｔ及八面體因子ｕ

為立方相；反之當(dāng)溫度降低時(shí)，立方相會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较�。［６】由于三種晶相中立方??相對(duì)稱性最高也最穩(wěn)定，因此現(xiàn)在文獻(xiàn)中大部分鈣鈥礦材料組分的離子半徑都符??合立方相條件，圖２．２反映了常見１２種鈣鈦礦材料的容忍因子ｔ及八面體因子??ｕ?的分布。［１］其中?Ｒｍａ?為?２．１８Ａ，?Ｒ....

圖２．３銫鉛溴（ＣｓＰｂＢｒ３）三維鈣鈦礦材料納米片（ＮＰＬｓ）的ＸＲＤ圖譜（綠??

?５０?６０??圖２．４甲胺鉛溴（ＭＡＰｂＢｎ）鈣鈦礦材料的ＸＲＤ圖譜（不停前驅(qū)物比例）。［ｌＧ】??Ｆｉｇｕｒｅ?２．４?ＸＲＤ?ｐａｔｔｅｒｎｓ?ｏｆ?ＭＡＰｂＢｒ３?ｌａｙｅｒｓ?ｗｉｔｈ?ＭＡＢｒ：?ＰｂＢｒ２?＝?１：?１．０５，?１：１，?ａｎｄ??１．０５：?ｌ．［....

圖２．４甲胺鉛溴（ＭＡＰｂＢｎ）鈣鈦礦材料的ＸＲＤ圖譜（不停前驅(qū)物比例）

?７０??２０?（ｄｅｇｒｅｅ）??圖２．３銫鉛溴（ＣｓＰｂＢｒ３）三維鈣鈦礦材料納米片（ＮＰＬｓ）的ＸＲＤ圖譜（綠??線）及其３０倍放大圖（紫線）。［９］??Ｆｉｇｕｒｅ?２．３?ＸＲＤ?ｐａｔｔｅｒｎ?ｏｆ?ＣｓＰｂＢｒ３?ＮＰＬｓ?（ｕｐ）?ａｎｄ?ＣｓＰｂＢｒ３?ＮＰＬｓ....

本文編號(hào)：4030158