發(fā)布時(shí)間：2025-02-05 18:08

　　隨著社會需求的增加、科技技術(shù)的進(jìn)步,半導(dǎo)體集成電路應(yīng)用于生活的方方面面,成為社會生活不可或缺的一部分。然而傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管受亞閾值擺幅、短溝道效應(yīng)等因素的限制不再滿足人們的需求。本文提出了一種基于雙側(cè)柵和輔助柵控制的新型深肖特基勢壘源漏接觸的雙向隧穿場效應(yīng)晶體管。傳統(tǒng)的肖特基勢壘金屬氧化物場效應(yīng)晶體管通過盡可能地降低勢壘高度的方式來產(chǎn)生大電流,區(qū)別于傳統(tǒng)晶體管,新型晶體管而是降低由肖特基勢壘隧穿產(chǎn)生的電流。相反,增大體硅與源漏接觸界面作為正向?qū)�通的主要傳�?dǎo)機(jī)制的帶帶隧穿電流。在結(jié)構(gòu)上利用輔助柵極來阻擋反向漏電流。與傳統(tǒng)肖特基勢壘金屬氧化物場效應(yīng)晶體管或無結(jié)場效應(yīng)晶體管相比,新型器件可以實(shí)現(xiàn)更低的亞閾值擺幅,更小的反偏柵致漏電流,更大的開關(guān)電流比。能夠?qū)崿F(xiàn)大于傳統(tǒng)隧穿場效應(yīng)晶體管的開啟電流,以及由于結(jié)構(gòu)對稱而能夠更好的集成。本課題通過Silvaco TCAD實(shí)現(xiàn)對器件的模擬仿真與分析研究。通過DevEdit3D實(shí)現(xiàn)三維器件結(jié)構(gòu)的編輯,在DeckBuild中調(diào)用器件結(jié)構(gòu)利用Atlas仿真語句模擬仿真電學(xué)特性,最后經(jīng)視圖工具Tonyplot2D顯示。在Tonyplot2D中對圖像進(jìn)行測量、截線...

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1晶體管數(shù)量的增長趨勢

�、科技茧H醯慕?劍?氳繼寮?傻緶酚τ糜諫?畹姆椒矯婷媯?⒌?子技術(shù)已經(jīng)成為社會生活不可或缺的一部分。作為集成電路的基石和單元，產(chǎn)生于1960年的MOSFET由于制造成本低、使用面積孝集成度高，廣泛使用在大型或是超大型數(shù)字集成電路和模擬集成電路中。MOSFET是一種電壓控制柵極器件....

圖1.2肖特基勢壘源/漏晶體管Fig.1.2Schottkybarriersource/draintransistor

沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文2深肖特基勢壘金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（HSBMOSFET）是一種用金屬取代雜質(zhì)摻雜作為源漏與半導(dǎo)體肖特基接觸，形成肖特基勢壘的器件。導(dǎo)通機(jī)制為帶帶隧穿效應(yīng)，通過較小勢壘間厚度提高載流子隧穿幾率來增大導(dǎo)通電流。因?yàn)閷?dǎo)通機(jī)制不再是傳統(tǒng)MOSFET器件采用....

圖1.3傳統(tǒng)MOSFET的劣勢Fig.1.3DisadvantagesoftraditionalMOSFET

沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文4流，器件功耗增加。MOSFET的源/漏區(qū)采用摻雜的方式形成，與半導(dǎo)體溝道形成PN結(jié)。PN結(jié)越淺短溝道效應(yīng)越輕，因此人們希望有辦法降低PN結(jié)深或者設(shè)計(jì)出無結(jié)器件。圖1.3傳統(tǒng)MOSFET的劣勢Fig.1.3Disadvantagesoftraditiona....

圖2.1提出的HSB-BTFET的主視圖，沿主視圖的切線A、B所得剖面圖

第2章基于源漏深肖特基勢壘雙柵和輔柵控制雙向隧穿場效應(yīng)晶體管7b沿A切面的剖面圖c沿B切面的剖面圖圖2.1提出的HSB-BTFET的主視圖，沿主視圖的切線A、B所得剖面圖Fig.2.1ProposedmainviewofHSB-BTFET,andtheprofileofthede....

本文編號：4030239