發(fā)布時間：2024-06-05 05:50

　　隨著新型超導(dǎo)體不斷涌現(xiàn),這些新材料的超導(dǎo)機理問題成為超導(dǎo)研究的重要方向,其中非電-聲子耦合的非常規(guī)超導(dǎo)機理問題是超導(dǎo)研究中的一個重要科學(xué)問題�；�于量子力學(xué)的隧道效應(yīng),人們發(fā)展出隧道結(jié)技術(shù)來研究材料費米能附近電子態(tài)密度的信息。而點接觸Andreev反射隧道譜作為探測超導(dǎo)能隙結(jié)構(gòu)的一個重要工具,被廣泛用于研究非常規(guī)超導(dǎo)的能隙函數(shù)及相關(guān)的超導(dǎo)電子配對機理。本文中,我們主要利用點接觸隧道譜這種實驗技術(shù)對一維非常規(guī)超導(dǎo)體RbCr₃As₃的能隙結(jié)構(gòu),以及s波超導(dǎo)體/拓撲絕緣體隧道結(jié)的性質(zhì)進行了研究,得到了一些較為重要的結(jié)果。第一章首先介紹了超導(dǎo)研究的背景,并對最近發(fā)現(xiàn)的Cr基超導(dǎo)體進行了系統(tǒng)介紹;之后對拓撲絕緣體以及Sn摻雜的Bi_1.1Sb_0.9Te₂S這一較為純凈的拓撲絕緣體的研究背景進行了簡單介紹。第二章著重介紹點接觸(Andreev反射譜)的實驗測量原理和方法,并基于Blonder,Tinkham和Klapwijk(BTK)三人提出的理論模型對Andreev反射譜進行了理解。同時介紹...

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 引言
    1.1 超導(dǎo)材料研究和發(fā)展過程
        1.1.1 超導(dǎo)材料的發(fā)展和分類
        1.1.2 超導(dǎo)機理問題概述
        1.1.3 基于Cr的超導(dǎo)體系的研究
    1.2 拓撲絕緣體研究背景
        1.2.1 拓撲絕緣體的發(fā)現(xiàn)和基本物理性質(zhì)
        1.2.2 拓撲絕緣體Bi_1.1Sb_0.9Te₂S的研究背景
    參考文獻
第二章 隧道譜的實驗原理與方法
    2.1 隧穿現(xiàn)象
        2.1.1 單粒子隧穿效應(yīng)
    2.2 Andreev反射
    2.3 Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理論
        2.3.1 BTK基本理論表述
        2.3.2 BTK理論的進一步發(fā)展
    2.4 隧道結(jié)的制備方法和測量手段
        2.4.1 隧道結(jié)的制備
        2.4.2 隧道結(jié)的測量裝置
    參考文獻
第三章 超導(dǎo)體RbCr₃As₃的能隙性質(zhì)研究
    3.1 RbCr₃As₃的研究背景
    3.2 RbCr₃As₃的超導(dǎo)表征和試驗方法
    3.3 RbCr₃As₃的點接觸Andreev反射譜結(jié)果
    3.4 RbCr₃As₃的掃描隧道譜結(jié)果
    3.5 分析與討論
    3.6 本章小結(jié)
    參考文獻
第四章 拓撲絕緣體Bi_1.08Sn_0.02Sb_0.9Te₂S與超導(dǎo)Nb針尖的點接觸隧道譜研究
    4.1 研究背景
    4.2 實驗方法
    4.3 實驗結(jié)果
        4.3.1 輸運和磁阻測量
        4.3.2 Nb/Bi_1.08Sn_0.02Sb_0.9Te₂S構(gòu)成的NIS結(jié)點接觸譜
        4.3.3 分析與討論
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻
第五章 離子液體門電壓調(diào)控技術(shù)在超導(dǎo)體上的應(yīng)用
    5.1 研究背景
    5.2 基本概念和實驗原理
    5.3 樣品制備方法
    5.4 實驗方法和結(jié)果
    5.5 本章小結(jié)
    參考文獻
第六章 全文總結(jié)
科研成果
致謝



本文編號：3989742