發(fā)布時(shí)間：2025-03-02 16:29

　　二硫化鎢（WS₂）作為過渡金屬硫化物（TMDCs）中的代表之一,因其擁有優(yōu)良的電學(xué)、光學(xué)和光催化等特性被人們廣泛的關(guān)注與研究。單層WS₂繼承了石墨烯高遷移率,透明柔性等特性,同時(shí)較寬的帶隙也彌補(bǔ)了石墨烯零帶隙的缺陷,使WS₂擁有較高的開關(guān)特性,在電子器件領(lǐng)域擁有廣闊的發(fā)展前景。論文采用低壓化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備WS₂薄膜,在實(shí)驗(yàn)過程中探尋載氣流量、壓強(qiáng)、硫源加熱溫度和基底擺放位置等因素對(duì)薄膜質(zhì)量的影響。尋找最佳合適條件,并利用光學(xué)顯微技術(shù)、拉曼技術(shù)和原子力顯微技術(shù)對(duì)制備的薄膜進(jìn)行表面表征和物質(zhì)鑒定。結(jié)果顯示薄膜品質(zhì)優(yōu)良,面積大且表面均勻。將制備出的WS₂薄膜轉(zhuǎn)移到新基底用于制備WS₂光電探測(cè)器。我們通過測(cè)試發(fā)現(xiàn)WS₂器件擁有較好的光電響應(yīng)特性。同時(shí)我們補(bǔ)充了器件工作的波段范圍,將其延伸到可見光范圍內(nèi),結(jié)果發(fā)現(xiàn)在640nm波長(zhǎng)下器件的響應(yīng)度最高,最有利于器件的節(jié)能減耗,更有利于光電響應(yīng)現(xiàn)象的觀察。而在430nm波段下器件的量子效率最...

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1WS2單層結(jié)構(gòu)

圖1.1WS2單層結(jié)構(gòu)[20]WS2由于層與層之間原子不同的堆疊方式，可以分為三種體相結(jié)構(gòu)：1T1T相是具有金屬性的八面體配位的四方晶系，而2H相則是具有半導(dǎo)體層與層之間按照1212的方式堆疊。3R相屬于斜方對(duì)稱晶系，其W原，屬于三棱柱配位，但是其層間堆疊....

圖1.2單層WS2的能帶圖

圖1.2單層WS2的能帶圖[22]圖1.3WS2固體能帶圖[22].3WS2的研究進(jìn)展.3.1WS2的FET特性研究WS2擁有良好的遷移率，且其少層時(shí)表現(xiàn)出較好的柔軟性、透明性和延展性，作為柔顯示屏或電子器件的基礎(chǔ)材料，擁有極好的發(fā)展前景。目前，WS2薄膜....

圖1.3WS2固體能帶圖

圖1.2單層WS2的能帶圖[22]圖1.3WS2固體能帶圖[22].3WS2的研究進(jìn)展.3.1WS2的FET特性研究WS2擁有良好的遷移率，且其少層時(shí)表現(xiàn)出較好的柔軟性、透明性和延展性，作為柔顯示屏或電子器件的基礎(chǔ)材料，擁有極好的發(fā)展前景。目前，WS2薄膜....

圖1.4WS2場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)

暨南大學(xué)碩士學(xué)位論文電子聚集在薄膜上部，但是由于上部薄膜和源漏電極接觸，S2上表面，而不能在上表面形成導(dǎo)電溝道，所以在施加源漏流并不會(huì)發(fā)生明顯變化。通過給柵極施加正負(fù)相反的電壓就變大或者維持較小數(shù)值，這就是電子開關(guān)器件的最基本性能代替硅的一個(gè)重要因素。

本文編號(hào)：4034551