發(fā)布時(shí)間：2024-07-01 22:12

　　因?yàn)镾LAC的Babar和KEK的Belle這兩個(gè)B工廠實(shí)驗(yàn)的推進(jìn),B介子研究在理論和實(shí)驗(yàn)方面都取得了很大進(jìn)展。關(guān)于B介子的弱衰變過程研究,目前幾乎所有大于10-6量級的Bu,d弱衰變過程都得到了測量。矢量介子B_q*和贗標(biāo)量介子B_q有著相同的夸克組分((?)q),其中q=u,d,s。相比于B介子的弱衰變過程研究,人們對B*介子研究的比較少,主要原因是目前B*實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)比較少。實(shí)驗(yàn)上大型強(qiáng)子對撞機(jī)LHC和未來運(yùn)行的超級B工廠SuperKEKB有望收集大量B*介子的事例數(shù),這為B*介子弱衰變的研究提供了可能。B*介子弱衰變的研究,可以為B介子弱衰變提供相關(guān)信息,可以檢驗(yàn)處理強(qiáng)子矩陣元的方法,同時(shí)在確定唯象模型參數(shù)、檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)模型和尋找潛在的新物理跡象等方面都有著重要作用。在B*介子弱衰變中,兩體非輕衰變過程(?)→ D_qM相對來說分支比較大,這些過程在夸克層次上是由b → c躍遷引起的,有利于提取CKM矩陣元因子|Vcb|。本文中,我們采用國際上流行的微擾QCD方法,計(jì)算了(?)→D_qM過程衰變振幅及其分支...

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 引言
第二章 標(biāo)準(zhǔn)模型簡介
    2.1 標(biāo)準(zhǔn)模型的歷史背景
    2.2 標(biāo)準(zhǔn)模型的基本內(nèi)容
    2.3 夸克混合和CKM矩陣
第三章 處理強(qiáng)子矩陣元的方法
    3.1 低能有效哈密頓量
    3.2 有效算符強(qiáng)子矩陣元的計(jì)算
        3.2.1 簡單因子化方法
        3.2.2 推廣的因子化方案
        3.2.3 QCD因子化方法
第四章 微擾QCD方法簡介
    4.1 微擾QCD方法(pQCD)簡介
        4.1.1 因子化定理
        4.1.2 橫動量的引入
        4.1.3 Sudakov因子
第五章 用微擾QCD方法研究(?)→DM過程
    5.1 研究動機(jī)
    5.2 理論基礎(chǔ)
        5.2.1 低能有效哈密頓量
        5.2.2 強(qiáng)子矩陣元
        5.2.3 波函數(shù)
        5.2.4 衰變振幅
    5.3 數(shù)值結(jié)果和討論分析
第六章 總結(jié)展望
附錄A B_q*→DP衰變振幅
附錄B B_q*→DV衰變振幅
附錄C (?)→D_qM衰變振幅模塊
    C.1 (?)→D_qM色允許過程衰變振幅模塊
    C.2 (?)→D_qM色壓低過程衰變振幅模塊
    C.3 (?)→D_qM湮滅過程衰變振幅模塊
參考文獻(xiàn)
致謝
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本文編號：3999261