發(fā)布時(shí)間：2024-02-22 00:09

　　根據(jù)半導(dǎo)體激光器有源區(qū)的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特點(diǎn),可將其分為:邊發(fā)射激光器(Edge-Emitting Laser,EEL)和垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)。VCSEL的結(jié)構(gòu)主要包括上、下底部多層高反射率的布拉格反射鏡(DBR)、導(dǎo)電限制區(qū)、有源區(qū)和半導(dǎo)體襯底等,激光從上底部的p-DBR面出射或下底部的襯底面出射。正是由于其特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和制作工藝,導(dǎo)致VCSEL能夠單縱模輸出,且有閾值電流低、發(fā)散角小、耦合效率高、調(diào)制帶寬大、制作成本低、易于二維陣列集成等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),從而成為研究的熱點(diǎn)內(nèi)容之一。近年來,相關(guān)研究顯示,當(dāng)VCSEL受到外部擾動時(shí),如:外部光注入、光反饋、電流調(diào)制、光電反饋等,通過適當(dāng)調(diào)節(jié)相關(guān)參數(shù),能夠輸出周期態(tài)、注入鎖定、四波混頻、混沌態(tài)等復(fù)雜的現(xiàn)象;同時(shí),由于其有源區(qū)屬于柱對稱結(jié)構(gòu),且內(nèi)部材料具有弱的各向異性的特點(diǎn),而導(dǎo)致VCSEL在外部擾動的作用下,很容易產(chǎn)生偏振開關(guān)、偏振雙穩(wěn)等現(xiàn)象,而這些非線性動力學(xué)現(xiàn)象均已被廣泛應(yīng)用于光混沌保密通信、光子微波的產(chǎn)生、光開關(guān)、光存儲、全光信息轉(zhuǎn)換、高速脈沖測距、激...

【文章頁數(shù)】：129 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖1.1VCSEL的典型結(jié)構(gòu)[7]

西南大學(xué)博士學(xué)位論文第1章緒論1第1章緒論1.1論文的研究背景激光的出現(xiàn)極大的推動了科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，歷經(jīng)五十多年的研究與探索，已被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、通訊、軍事、科學(xué)研究等各個(gè)領(lǐng)域，悄然地改變著人類的生活。半導(dǎo)體激光器作為一種優(yōu)質(zhì)激光源，具有體積孝質(zhì)量輕、相干性好、譜....

圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結(jié)型（c

西南大學(xué)博士學(xué)位論文第1章緒論4（c）（d）圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結(jié)型（c）空氣柱型（d）氧化限制性折射率引導(dǎo)VCSEL[17]圖1.4為反導(dǎo)引VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1.4（a）所示，在p層上增加了厚的低溫層（LT-layer），目的是用來提升電阻率....

圖1.4（a）反導(dǎo)引VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖（b）腔內(nèi)有效折射率分布的示意圖[19]

西南大學(xué)博士學(xué)位論文第1章緒論4（c）（d）圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結(jié)型（c）空氣柱型（d）氧化限制性折射率引導(dǎo)VCSEL[17]圖1.4為反導(dǎo)引VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1.4（a）所示，在p層上增加了厚的低溫層（LT-layer），目的是用來提升電阻率....

圖1.5注入系數(shù)kinj取不同值時(shí)光子密度隨頻率失諧變化的分岔圖[49]，（a）fkinj分別為6110，5110，4110，0.01，0.05，1

西南大學(xué)博士學(xué)位論文第1章緒論10圖1.5注入系數(shù)kinj取不同值時(shí)光子密度隨頻率失諧變化的分岔圖[49]，(a)~(f)kinj分別為6110，5110，4110，0.01，0.05，1圖1.6正交光注入下VCSEL輸出的非線性動力學(xué)分布圖[51]同年，比利時(shí)的J.B.Alté....

本文編號：3906096