發(fā)布時(shí)間：2024-12-22 03:11

　　隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,以硅(Si)材料為基礎(chǔ)的功率器件性能難以滿足日益增長(zhǎng)的技術(shù)需求。憑借著碳化硅(SiC)材料優(yōu)良的特性,碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)在高頻、高壓、高溫以及大電流電力電子應(yīng)用中具有顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,較高的開關(guān)速度所帶來的電氣應(yīng)力、開關(guān)振蕩以及EMI問題,較弱的短路承受能力以及大功率應(yīng)用中多管并聯(lián)所導(dǎo)致的并聯(lián)均流等問題都給SiC MOSFET模塊的廣泛應(yīng)用帶來了嚴(yán)重阻礙。為了解決上述問題,本文從SiC MOSFET模塊建模、驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)、保護(hù)電路技術(shù)以及并聯(lián)均流技術(shù)四個(gè)方面入手開展理論與實(shí)驗(yàn)研究工作。主要研究?jī)?nèi)容和成果如下:1.提出了一種SiC MOSFET行為模型參數(shù)校正方法。首先,對(duì)SiC MOSFET行為模型暫態(tài)精度影響因素進(jìn)行了理論與仿真分析。通過分析發(fā)現(xiàn),影響SiC MOSFET行為模型暫態(tài)精度的參數(shù)按照敏感性依次為CGD、CGS、VGS,th、RG,int、gm、CDS和CDj。在此基礎(chǔ)上,提出一種SiC MOSFET行為模型參數(shù)校正方法。最后,在SABER仿真軟件中,在不同柵極電阻、工作溫度、開關(guān)電流、母線電壓和外加?xùn)?..

【文章頁數(shù)】：143 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－３被動(dòng)式柵極驅(qū)動(dòng)電路??．－．??

＊安理工大學(xué)博士學(xué)位論ｉ??１．被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)電路??實(shí)際應(yīng)用中，通過在驅(qū)動(dòng)電路中添加無源器件來調(diào)節(jié)ＳｉＣ?ＭＯＳＦＥＴ開關(guān)特性是最簡(jiǎn)??單常見的方法之一ｐｌＨ３４］。如圖１－３所示，可以通過增加?xùn)艠O電阻也，米勒電容及柵??－源極電容Ｃｂｓ來調(diào)整ＳｉＣ?ＭＯＳＦＥＴ的開關(guān)特性。??通....

圖１－５叮變柵極電壓挺動(dòng)電路??－

第一章結(jié)論??實(shí)現(xiàn)柵極電阻的開關(guān)，其硬件電路實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜。??９?Ｈ?□?「??圇１－４吁變柵極電Ｆ且驅(qū)動(dòng)電路??Ｆｉｇ＿?１－４?Ｄｒｉｖｅｒ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｂｙ?ａｄｊｕｓｔａｂｌｅ?ｇａｔｅ?ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ．??（２）可變柵極電壓驅(qū)動(dòng)電路??可變柵極電壓驅(qū)動(dòng)電路實(shí)質(zhì)是....

圖１－６?Ｔ變柵極電潑腿動(dòng)電路??－

西安理工大學(xué)博士學(xué)位淪ｔ??ｆａ?／ｉ?ｈ?ｔ??圖１－６?Ｔ變柵極電潑腿動(dòng)電路??Ｆｉｇ．?１－６?Ｄｒｉｖｅｒ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｂｙ?ａｄｊｕｓｔａｂｌｅ?ｇａｔｅ?ｃｕｒｒｅｎｔｓ．??（４）模擬閉環(huán)反饋驅(qū)動(dòng)電路??為了實(shí)現(xiàn)ＳｉＣ?ＭＯＳＦＥＴ開關(guān)過程的精確控制，有許多研宄....

圖１－９基于電流間接測(cè)量＿?ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ保護(hù)方法（ａ）遝飽和檢測(cè)（ｂ）?ｄｉ７ｄ／檢測(cè)（ｃ）柵板電??

第一章球論??的二極管和比較電路，成本低，如圖１－９?（ａ）所示。文獻(xiàn)［７０］對(duì)退飽和檢測(cè)在ＳｉＣ功率器??件的短路保護(hù)中的性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析。針對(duì)ＳｉＣ?ＭＯＳＦＥＴ開關(guān)過程中較大的開關(guān)振蕩??以及串?dāng)_，文獻(xiàn)［７１］對(duì)退飽和檢測(cè)電路進(jìn)行了改進(jìn)，確保其不會(huì)因?yàn)檎袷幒痛當(dāng)_而誤觸發(fā)。....

本文編號(hào)：4019341