片狀聚吡咯/氧化石墨烯復合材料的制備及電化學性能
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【部分圖文】:
圖1GO、PPy和PGC的紅外光譜圖
3cm-1)的原因可能是PPy樣品中摻雜劑(1,5-NDA)的離子交換導致的雙極化子/極化子的比例變化所至。所制備的PGC樣品包含了PPy的FT-IR特征峰和部分GO的特征峰。位于1465cm-1處的峰發(fā)生了分裂,這可能是PPy環(huán)與GO骨架間的π-π相互作用所致。位于1177cm....
圖2GO,PPy和PGC的SEM照片
摹狢?O與PPy的N原子間形成氫鍵的緣故。對應于PPy的雙極化子狀態(tài)的吸收峰進一步位移至較低的波數(shù)(890cm-1)的原因可能是由于因GO摻雜引起的π電子離域的變化[17]。圖1GO、PPy和PGC的紅外光譜圖Fig1FT-IRspectraofGO,PPyandPGC圖2(a)....
圖 3 片狀結構 PPy 形成示意圖
片狀結構PPy的形成示意圖如圖3所示,吡咯單體及氧化劑過硫酸銨加入稀的氧化石墨烯溶液后,吡咯陽離子優(yōu)先聚集在氧化石墨烯表面的—OH,環(huán)氧基,—COOH等電負性官能團附近,在低溫條件下,吡咯聚合的速度較慢,相鄰的吡咯正離子優(yōu)先聚合成為片狀結構的PPy。因此,復合材料相比于純GO及P....
圖4(a)GO,PPy和PGC的CV曲線;(b)PGC在掃描速度為10,20,50和100mV/s的CV曲線
的比電容只有9F/g,純PPy的比電容可達167F/g,而PGC的比電容可達319F/g,較GO和PPy均有較大程度的提高,甚至比兩者總和還要高,這表明復合電極比容量的提高不是簡單的加和效應,而是協(xié)同效應所致。復合材料這種仿GO的亞微米層狀結構有利于增加其電解液的接觸機會,增大P....
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