發(fā)布時(shí)間：2025-02-09 14:20

　　InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)太陽(yáng)能電池是一種新型的太陽(yáng)能電池。通過改變In組分,InGaN的禁帶寬度可以實(shí)現(xiàn)從0.7eV到3.4eV的連續(xù)變化,基本覆蓋太陽(yáng)光光譜,理論上可以制造光電轉(zhuǎn)換效率極高的太陽(yáng)能電池,因此受到大家的普遍關(guān)注。然而,高質(zhì)量InGaN材料的生長(zhǎng)非常困難,高光電轉(zhuǎn)換效率的InGaN/GaN MQW太陽(yáng)能電池還難以實(shí)現(xiàn)。目前,InGaN/GaN MQW太陽(yáng)能電池尚處于研究階段,國(guó)際上InGaN/GaN MQW太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率徘徊在0.5%到3%之間。因此,本文從材料和器件結(jié)構(gòu)兩方面深入研究了p-i-n結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN MQW太陽(yáng)能電池,其中i層為InGaN/GaN多量子阱,p層為p-GaN,n層為n-GaN,主要成果如下:(1)研究了InGaN/GaN多量子阱周期數(shù)與InGaN層等效厚度對(duì)材料質(zhì)量和器件性能的影響。研究結(jié)果表明,在i層總厚度保持不變的條件下,通過增加量子阱周期數(shù)并減少InGaN層等效厚度,能夠減少位錯(cuò)密度并抑制InGaN合金的相分離,使材料質(zhì)量得到改善。但是隨著InGaN層等效厚度的下降,材料對(duì)光的吸收強(qiáng)度減小。...

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖5(網(wǎng)絡(luò)版彩色)壓電光電子學(xué)效應(yīng)增強(qiáng)的太陽(yáng)能電池性能.(a)壓電光電子學(xué)效應(yīng)增強(qiáng)的PbS膠體量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池[31].(b)壓電光電子學(xué)效應(yīng)增強(qiáng)的共軸CdS/Cu2S單根納米線太陽(yáng)能電池[32].(c)壓電光電子學(xué)效應(yīng)增強(qiáng)的基于ZnO納米線陣列結(jié)構(gòu)的硅基太陽(yáng)能電池[10].(d)壓電光電子學(xué)效應(yīng)增強(qiáng)的基于InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)的薄膜太陽(yáng)能電池[33]

太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)通常包含至少一個(gè)肖特基結(jié)或者一個(gè)pn結(jié),當(dāng)太陽(yáng)光照射到結(jié)上時(shí),光生載流子在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下迅速分離,產(chǎn)生光伏效應(yīng).利用壓電光電子學(xué)效應(yīng),界面處的壓電極化電荷和壓電勢(shì)能有效調(diào)制界面處能帶結(jié)構(gòu),進(jìn)而調(diào)控光生載流子的產(chǎn)生、輸運(yùn)、分離或復(fù)合,從而提高太陽(yáng)能電池的性能.201....

圖2.8MOCVD生長(zhǎng)機(jī)理示意圖

通過控制銦源流量來控制銦鎵氮中銦的組分；可以通過控制硅烷或制相應(yīng)n區(qū)和p區(qū)的摻雜濃度。室內(nèi)發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)。以生長(zhǎng)氮化鎵為例，鎵源為三甲基鎵，下：3334Ga(CH)NHGaN3CH物氣體分子進(jìn)入反應(yīng)室后混合在一起，有一部分反應(yīng)物氣體分子吸，....

圖2.17輕敲式掃描示意圖

子的作用會(huì)影響探針的振幅和相位，通過對(duì)探針振幅和相位的信號(hào)處理可以得到樣品表面的形貌。本文的AFM測(cè)試采用了輕敲模式。圖2.17輕敲式掃描示意圖

圖3.1InGaN/GaN多量子阱外延薄膜SEM照片

aN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)能電池本結(jié)構(gòu)是一個(gè)pn結(jié)，從第二章太陽(yáng)能電池基本電荷區(qū)是光電轉(zhuǎn)換最重要的部分，pn結(jié)空間電荷光電流。而pn結(jié)空間電荷區(qū)通常很窄，不能充。p-i-n結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池通過在pn結(jié)之間插入，使入射太陽(yáng)能電池的光子能被充分吸收。因此重要。本....

本文編號(hào)：4032366