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熊偉, 導(dǎo)師:魏昕,化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用研究

發(fā)布時(shí)間:2016-12-18 02:50

  本文關(guān)鍵詞:化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


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文獻(xiàn)名稱:化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用研究

    前言:目前化學(xué)機(jī)械拋光廣泛應(yīng)用于襯底晶片和多層布線的層間平坦化加工中。拋光墊是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)系統(tǒng)的重要組成部分,具有貯存拋光液,并把它均勻運(yùn)送到工件的整個(gè)加工區(qū)域等作用。拋光墊的性能主要由拋光墊的材料性能、表面結(jié)構(gòu)與狀態(tài)以及修整狀態(tài)等決定。目前,化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用還缺乏系統(tǒng)的研究和能夠指導(dǎo)生產(chǎn)應(yīng)用的理論依據(jù)。本文通過(guò)理論研究與實(shí)驗(yàn)分析相結(jié)合,對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊特性進(jìn)行系統(tǒng)研究。 本文首先基于隨機(jī)表面的G-W接觸模型和赫茲彈性理論分析了拋光墊與晶片的接觸情況,從單顆磨料的磨削作用出發(fā),推導(dǎo)出拋光過(guò)程中材料去除率的數(shù)學(xué)模型。研究結(jié)果表明,拋光墊性能對(duì)拋光效率有較大影響,拋光墊硬度越大、彈性模量越大,材料去除率也越大;拋光墊表面微凸峰越多、尺寸越大,材料去除率越大。 分別采用聚氨酯拋光墊、聚四氟乙烯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊拋光鉭酸鋰晶片,研究拋光墊材料性能對(duì)拋光效果影響。相比于聚四氟乙烯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊,聚氨酯拋光墊硬度適中,表面存在許多均勻的微孔,拋光性能較好,在拋光壓力6.7kPa,拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速40rpm時(shí)獲得了表面粗糙度0.066μm、材料去除率26.4nm/min的較好拋...
    At present, chemical mechanical polishing (CMP) is widely used in the flatness process of polishing substrate and multilevel interconnections. Polishing pad is a key component of CMP system. It can store the polishing slurry and deliver it to the wafer workpiece evenly. The performances of pad are determined by type and properties of its material, the surface structure and state, and the state of conditioning, etc. However, the function of pad is not widely studied, and theoretical foundation that can guide...

文獻(xiàn)名稱 化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用研究

Article Name
英文(英語(yǔ))翻譯 Study on Pad Performance in Chemical Mechanical Polishing;

作者 熊偉; 導(dǎo)師:魏昕;

Author

作者單位
Author Agencies 廣東工業(yè)大學(xué);

文獻(xiàn)出處
Article From 中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所; 材料物理與化學(xué)(專業(yè)) 博士論文 2000年度

關(guān)鍵詞 鉭酸鋰晶片; 化學(xué)機(jī)械拋光; 拋光墊; 修整;

Keywords Tantalum Lithium Wafer;Chemical Mechanical Polishing;Polishing pad;Conditioning;

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  本文關(guān)鍵詞:化學(xué)機(jī)械拋光中拋光墊的作用研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號(hào):217991

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