發(fā)布時(shí)間：2024-10-03 02:38

　　斯格明子是一種特殊的自旋結(jié)構(gòu),它主要存在于非中心對(duì)稱的手性磁性材料以及對(duì)稱性破缺的磁性薄膜材料中,因其具有小尺寸、易被電流驅(qū)動(dòng)、低能耗等優(yōu)點(diǎn),成為磁信息存儲(chǔ)和自旋電子學(xué)器件的核心候選材料。隨著拓?fù)浯判院妥孕�電子學(xué)的發(fā)展,基于磁性斯格明子的電子學(xué)存儲(chǔ)器件的研究是目前微磁學(xué)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn),斯格明子很有希望替代鐵磁疇成為數(shù)字信息的載體�？茖W(xué)家們期待尋找到在室溫下能產(chǎn)生更小尺寸的斯格明子的材料,因?yàn)楫?dāng)斯格明子的尺寸越小時(shí),如果相鄰斯格明子之間的平衡距離越小,磁性材料的存儲(chǔ)密度就會(huì)越大。本文從改變易軸的方向的角度出發(fā),在超薄薄膜磁性材料中模擬了斯格明子在非垂直易軸條件下的產(chǎn)生情況。探究斯格明子的尺寸和形態(tài)受磁晶各項(xiàng)異性的影響規(guī)律,通過(guò)改變易軸方向可以實(shí)現(xiàn)斯格明子的產(chǎn)生和湮滅。另外我們發(fā)現(xiàn)斯格明子的形態(tài)不再完全中心對(duì)稱,也就是對(duì)稱性被破壞。我們也從能量方面分析產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因,按照我們的需要給斯格明子的半徑做新的定義,對(duì)斯格明子在非垂直磁晶各項(xiàng)異性條件下的尺寸做近似的解析,便于理解這種狀態(tài)下的斯格明子磁矩的大致分布情況,給磁性斯格明子的理論研究提供了參考。斯格明子作為信息載體,我們也研究了易軸方向...

【文章頁(yè)數(shù)】：47 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 物質(zhì)的磁性
    1.2 磁晶各向異性相關(guān)研究現(xiàn)狀
    1.3 自旋電子學(xué)簡(jiǎn)介
    1.4 斯格明子
        1.4.1 磁疇
        1.4.2 斯格明子
2 微磁學(xué)簡(jiǎn)介
    2.1 各項(xiàng)相互作用能
    2.2 Landau–Lifshitz–Gilbert方程
    2.3 OOMMF
3 易軸的取向?qū)λ垢衩髯拥挠绊?br>    3.1 引言
        3.1.1 斯格明子的產(chǎn)生和湮滅
        3.1.2 模擬計(jì)算模型
    3.2 模擬計(jì)算結(jié)果與分析
        3.2.1 模擬計(jì)算結(jié)果
        3.2.2 系統(tǒng)各項(xiàng)能量分析
        3.2.3 不同 DMI 取值和易軸偏轉(zhuǎn)角度 σ 對(duì)斯格明子的影響
    3.3 相鄰斯格明子的平衡距離
    3.4 本章小結(jié)
4 易軸的取向?qū)λ垢衩髯拥挠绊懡馕龇治?br>    4.1 解析推導(dǎo)基礎(chǔ)
    4.2 解析模型與公式推導(dǎo)
        4.2.1 一維解析模型
        4.2.2 對(duì)納米盤(pán)中產(chǎn)生的斯格明子解析分析
    4.3 易軸的取向?qū)λ垢衩髯拥挠绊懡馕龇治鼋Y(jié)果比較
        4.3.1 對(duì)斯格明子半徑的定義
        4.3.2 易軸的取向?qū)λ垢衩髯拥挠绊懡馕龇治鼋Y(jié)果比較
    4.4 誤差分析
    4.5 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在校期間研究成果
    一、學(xué)術(shù)成果
    二、獲獎(jiǎng)情況



本文編號(hào)：4006654