發(fā)布時(shí)間：2025-06-06 00:59

　　銀是導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能最好的金屬,且具有良好的延展性,多用于制備導(dǎo)電性能要求很高的電子器件;銀是一種貴金屬,具有很高的反光率,常用于制作裝飾品和收藏品;石墨銀復(fù)合材料的導(dǎo)電性和自潤(rùn)滑能力很好,常用作耐磨損電接觸材料。銀是最早進(jìn)行工業(yè)化電鍍應(yīng)用的金屬之一。氰化物鍍銀工藝已經(jīng)應(yīng)用了近200年,目前仍有約90%的鍍銀生產(chǎn)線(xiàn)使用有毒的氰化物體系。因此,研發(fā)可工業(yè)化應(yīng)用綠色環(huán)保的無(wú)氰鍍銀工藝具備重要的意義。本文通過(guò)大量實(shí)驗(yàn),成功研發(fā)出以5,5-二甲基乙內(nèi)酰脲為主配位劑的復(fù)合配位體系無(wú)氰鍍銀新技術(shù),確定了鍍液組成、工藝參數(shù)和工藝性能特征;利用掃描電子顯微鏡、X射線(xiàn)衍射儀、X射線(xiàn)光電子能譜技術(shù)分別就鍍層的微觀形貌、晶相結(jié)構(gòu)、元素組成進(jìn)行了表征;循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)和電位階躍實(shí)驗(yàn)研究了銀在玻碳電極表面的電沉積機(jī)理,探討了溫度和添加劑對(duì)電結(jié)晶機(jī)理的影響;在新研發(fā)的無(wú)氰鍍銀工藝的基礎(chǔ)上,研究了石墨銀復(fù)合鍍層的電鍍制備方法,并對(duì)復(fù)合鍍層進(jìn)行了表征。本文的主要研究結(jié)果如下:(1)復(fù)合配位體系無(wú)氰鍍銀新工藝通過(guò)大量赫爾槽實(shí)驗(yàn)確定新工藝的鍍液組成及工藝參數(shù):硝酸銀AgN03 30 g/L,主配位劑5,5-二甲基乙內(nèi)酰脲(DMH...

【文章頁(yè)數(shù)】：101 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１金屬絡(luò)離子的還原過(guò)程??Ｆｉｇ．?１－１?Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ｍｅｔａｌ?ｃｏｍｐｌｅｘ?ｉｏｎｓ．??

體系中金屬離子的還原過(guò)程大致有以下幾個(gè)階段：ａ．電極表圍水分子重排使水化程度降低，促使中心離子空的價(jià)電子能級(jí)相近；ｂ．電子在中心離子和電極表面?zhèn)鬟f，形成帶部分ｃ．帶部分水分子的金屬原子失去水化層，進(jìn)入金屬晶格。??屬離子的還原過(guò)程比較復(fù)雜，例如二價(jià)離子直接得到兩個(gè)電能性非常小，因....

圖１－２?Ｋｏｓｓｄ理論電結(jié)晶過(guò)程示意圖??－

在較為理想的晶面上，Ｂｕｄｅｖｓｋｉ在銀單晶電極證實(shí)了二維成核生長(zhǎng)的存在??ｔ｜８，１９］。Ｓｔｒａｎｓｋｉ為了解釋二維成核生長(zhǎng)的機(jī)理，提出了如圖１－２所示的晶面模型。??金屬原子占據(jù)晶面上的不同位置需要的能量不相同，在如圖所示的晶面上，金屬??可以占據(jù)ａ、ｂ、ｃ三個(gè)位置，它們的....

圖１－３?（ａ）三維成核的Ｊ？／理論曲線(xiàn)；（ｂ）三維成核生長(zhǎng)的示意圖??

?ａ??ｍｍｒｎ＾??圖１－２?Ｋｏｓｓｄ理論電結(jié)晶過(guò)程示意圖??Ｆｉｇ．?１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｇｒａｇｈ?ｏｆ?ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ?ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｆｒｏｍ?Ｋｏｓｓｅｌ?ｔｈｅｏｒｙ．??在較為理想的晶面上，Ｂｕｄｅｖｓｋｉ在銀單晶電....

圖１－４瞬時(shí)成核及連續(xù)成核的理論曲線(xiàn)??ｉ．?１－４?Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ?ｃｕｒｖｅｓ?ｏｆ?ｉｎｓｔａｎｔａｎｅｏｕｓ?ａｎｄｒｏｒｅｓｓｉｖｅ?ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ．??

速度會(huì)遠(yuǎn)大于晶核生長(zhǎng)的速度，晶面上會(huì)同時(shí)存在多個(gè)晶核的形成與生長(zhǎng)。新晶??核的臨界條件為半徑為Ｉ？的半球形，互相接觸后線(xiàn)性增長(zhǎng)的方式成為三維成核生??長(zhǎng)。圖１－３所示為三維成核生長(zhǎng)的理論曲線(xiàn)和模擬圖。??三維成核生長(zhǎng)機(jī)理的研究由來(lái)己久。利用暫態(tài)初期電流與時(shí)間關(guān)系可以判斷??電結(jié)晶....

本文編號(hào)：4049547